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电荷耦合器件辐射效应理论分析与模拟试验方法研究  CNKI文献

分析了CCD电离效应和位移损伤机理,建立了一种国产埋沟CCD器件物理模型,实现了CCD信号电荷动态转移过程的数值模拟,计算了1MeV1、4MeV中子引起的CCD电荷转移效率的变化规律.建立了线阵CCD辐照效应离线测量系统,实现了...

唐本奇 肖志刚... 《电子学报》 2007年08期 期刊

关键词: CCD / 辐射效应 / 理论分析 / 模拟试验

下载(222)| 被引(7)

电荷耦合器件辐射损伤机理分析  CNKI文献

简要介绍了CCD的基本器件结构与工作机制,跟踪了国外CCD器件辐射效应方面的研究进展,分析了CCD器件电离效应和位移损伤机理,给出了国外在暗电流密度、RTS、电荷转移损失率等特征参数辐射效应的试验测试结果,以及相应的...

唐本奇 王祖军... 《核电子学与探测技术》 2004年06期 期刊

关键词: 电荷耦合器件 / 辐射效应 / 损伤机理 / 物理模型

下载(189)| 被引(12)

功率MOS、IGBT单粒子烧毁、栅穿效应模拟实验研究  CNKI文献

建立了利用2 52 Cf裂片源 ,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置 ,开展了功率 MOS器件、IGBT的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究 ,给出了被试器件单粒子烧毁、栅穿效应的损伤阈值 ,以及...

唐本奇 王燕萍... 《核电子学与探测技术》 2001年05期 期刊

关键词: 功率MOS器件 / IBGT / 单粒子烧毁 / 单粒子栅穿

下载(274)| 被引(9)

单场限环结构击穿电压的表面电荷效应分析  CNKI文献

本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式,并根据场限环优化条件,首次建立了单场限环表面电荷效应优化模型,得到了考虑表面电荷效应后,优化单场限环结构击穿电压以及优化环间距的归一化计算公式.分析了表面电...

唐本奇 高玉民... 《半导体学报》 1998年01期 期刊

关键词: 场限环结构 / 环间距 / 电场分布 / 电荷密度

下载(187)| 被引(10)

电荷耦合器件电离辐射损伤的模拟试验研究  CNKI文献

利用钴-60源,在不同工作与辐照条件下,开展电荷耦合器件电离辐射损伤模拟试验,分析高低剂量率、器件偏置对器件暗电流信号增大和哑元电压漂移的影响,比较电荷耦合器件光敏单元、输出放大器总剂量效应的敏感性,研究辐射...

唐本奇 王祖军... 《电子学报》 2010年05期 期刊

关键词: 电荷耦合器件 / 电离辐射效应 / 模拟试验

下载(125)| 被引(3)

典型光电子器件辐射效应数值分析与试验模拟方法研究  CNKI文献

选取Si太阳电池与线阵CCD器件,进行了光电器件辐射效应的数值分析与模拟试验方法研究。分析了光电器件电离效应和位移损伤机理,利用二维器件模拟软件MEDICI,模拟了1 MeV电子对n/p型硅太阳电池主要输出参数的影响,包括...

唐本奇 张勇... 《原子能科学技术》 2005年02期 期刊

关键词: 光电器件 / 辐射效应 / 数值分析 / 模拟试验

下载(236)| 被引(4)

LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析  CNKI文献

本文提出了一种新型的内置FR/JTE横向DMOS结构,并对其进行了耐压分析,结果表明,该结构具有与RESURF器件相媲美的击穿电压,并且工艺简单,受工艺参数波动的影响较小,相对于内场限环结构,其耐压高...

唐本奇 罗晋生... 《半导体学报》 1999年09期 期刊

关键词: 器件结构 / 击穿电压 / 导通电阻 / LDMOS

下载(205)| 被引(8)

功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法  CNKI文献

根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型 ,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立...

唐本奇 王燕萍... 《计算物理》 2000年Z1期 期刊

关键词: 功率MOS器件 / 单粒子栅穿 / 电路模拟

下载(156)| 被引(8)

功率MOS器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟  CNKI文献

建立了功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法, 对功率MOS器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和PSPICE模拟,模拟结果与文献中提供的数据相符合,表明所建立的器件...

唐本奇 王燕萍... 《核电子学与探测技术》 1999年06期 期刊

关键词: 功率MOS器件 / 单粒子烧毁 / 电路模拟

下载(179)| 被引(5)

用~(252)Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法  CNKI文献

建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率MOS场效应晶体管的SEB、SEGR效应研究 ,给出了被测试器件SEB、SEGR效应的损伤阈值。结果...

唐本奇 王燕萍... 《原子能科学技术》 2000年04期 期刊

关键词: 功率MOS器件 / 单粒子烧毁 / 单粒子栅穿

下载(75)| 被引(10)

电荷耦合器件质子辐照效应研究  CNKI文献

利用2×6 MV串列静电加速器提供的1~10 MeV质子,开展了线阵电荷耦合器件辐射损伤效应的模拟试验和测量,研制了加速器质子扩束扫描装置及电荷耦合器件辐射敏感参数测量系统,建立了电荷耦合器件质子辐射效应的模拟试...

唐本奇 刘敏波... 《原子能科学技术》 2010年01期 期刊

关键词: 静电加速器 / 质子辐照效应 / 电荷耦合器件

下载(137)| 被引(1)

表面电荷效应对场限环优化设计的影响  CNKI文献

本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式,并根据场限环优化条件,首次建立了单场限环表面电荷效应优化模型,得到了考虑表面电荷效应后,优化单场限环洁构击穿电压以及优化环间距的归一化计算公式。分析了表面电...

唐本奇 高玉民... 《微电子学与计算机》 1997年04期 期刊

关键词: 场限环 / 表面电荷 / 击穿电压 / 环间距

下载(141)| 被引(5)

功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟  CNKI文献

建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的

唐本奇 王燕萍... 《原子能科学技术》 2000年02期 期刊

关键词: 功率MOS器件 / 单粒子栅穿 / PSPICE电路模拟

下载(153)| 被引(1)

高压平面结终端结构参数的优化方法分析  CNKI文献

对目前所采用的各种高压平面结终端结构的优化设计方法进行了分析比较,总结了其一般规律,给出了优化设计方法的流程图,并对终端结构的发展提出了自己的看法

唐本奇 粱苏军... 《电力电子技术》 1996年02期 期刊

关键词: 电力半导体器件 / 终端 / 数值计算 / 优化设计

下载(120)| 被引(2)

单粒子烧毁、栅穿效应的电路模拟与测试技术  CNKI文献

建立了功率MOS器件单粒子烧毁、栅穿效应的等效电路模型 ,介绍了模型参数提取方法。采用PSPICE电路模拟程序 ,对单粒子烧毁、栅穿效应机理进行了模拟和分析 ,建立了利用Cf 2 52裂片源模拟空间重离子单粒子烧毁、栅穿效...

唐本奇 王燕萍... 《电力电子技术》 2000年04期 期刊

关键词: 电路模拟 / 测试技术/功率MOS器件 / 单粒子烧毁 / 单粒子栅穿

下载(182)| 被引(0)

内场限环结构 LDMOST 的耐压分析  CNKI文献

文章讨论了内场限环结构LDMOST的参数优化和器件耐压问题,采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式.同时,对LDMOST的优化结构开展了耐压分析.与国外同类工作比较,此方法简便直观...

唐本奇 高玉民... 《西安交通大学学报》 1997年09期 期刊

关键词: LDMOST / 内场限环 / 表面掺杂浓度 / 击穿电压

下载(57)| 被引(3)

场限环耐压的准三维优化分析  CNKI文献

分析和讨论了圆弧形掩膜的曲率半径对平面结终端耐压特点的影响.首次通过解析的方法,推导出了在计及平面结横向曲率效应,即准三维效应的条件下,优化单场限环结构击穿电压的归一化表达式,以及场限环间距的优化公式...

唐本奇 高玉民... 《西安交通大学学报》 1998年03期 期刊

关键词: 场限环 / 横向曲率 / 击穿电压 / 环间距

下载(83)| 被引(2)

横向功率器件及其结终端保护技术  CNKI文献

横向功率器件及其结终端保护技术LateralPowerDevicesandTheirJunctionTerminationTechniques西安交通大学唐本奇高玉民罗晋生(西安710049)1前言...

唐本奇 高玉民... 《电力电子技术》 1997年03期 期刊

关键词: 功率器件 / 外延层 / 全耗尽 / 罗晋生

下载(150)| 被引(1)

平面结终端场位分析的数值方法综述  CNKI文献

本文对高压平面结终端结构优化设计中采用的各种数值方法开展了分析和比较,总结了其中的一般性规律,对终端结构优化设计的发展提出了自己的看法。

唐本奇 高玉民... 《微电子学与计算机》 1997年03期 期刊

关键词: 平面结终端技术 / 器件物理方程 / 雪崩电离 / 数值技术

下载(54)| 被引(4)

双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应的模拟计算和实验验证  CNKI文献

在PC上开发了双极型晶体管电路瞬态γ辐照效应的模拟计算程序M-TRACII,建立了相应器件模型参数的测试方法,并进行双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应实验验证工作;计算结果与实测结果符合得较好,说明该模拟...

唐本奇 吴国荣... 《核电子学与探测技术》 1999年01期 期刊

关键词: 瞬态γ辐照效应 / 晶体管模型 / 参数提取 / 计算机模拟

下载(69)| 被引(1)

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