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InP晶体合成、生长和特性  CNKI文献

磷化铟(InP)已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。本文详细研究了快速大容量合成高纯及各种熔体配比条件的InP材料;大直径InP单晶生长;与熔体配比相关的缺陷性质;InP中的VInH4相关的缺陷性质和有关I...

孙聂枫 导师:毛陆虹 天津大学 2008-06-01 博士论文

关键词: 磷化铟 / 磷注入合成 / 配比 / 单晶生长

下载(1750)| 被引(29)

磷化铟晶体材料的应用进展研究  CNKI文献

回顾了磷化铟(InP)晶体材料的发展过程,介绍了磷化铟材料的多种用途和优越特性,展望了磷化铟材料在我国的发展前景。

孙聂枫 陈旭东... 《半导体情报》 1998年04期 期刊

关键词: 磷化铟 / 砷化镓 / / 晶体

下载(791)| 被引(34)

InP单晶材料现状与展望  CNKI文献

介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展...

孙聂枫 周晓龙... 《电子工业专用设备》 2005年10期 期刊

关键词: 液封直拉法 / 气压控制直拉法 / 垂直梯度凝固 / 单晶材料

下载(437)| 被引(19)

InP中的深能级杂质与缺陷  CNKI文献

综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作。讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子寿命谱(PAS)、正电子深能级瞬态谱(PDLTS)等...

孙聂枫 赵有文... 《微纳电子技术》 2008年10期 期刊

关键词: 磷化铟 / 深能级 / 杂质 / 缺陷

下载(517)| 被引(8)

高质量、大直径磷化铟单晶研究  CNKI文献

InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用。掺硫N型InP材料用于激光器、发光二极管、光放大器、光纤通信等光电领域。半绝缘(SI) InP主要用于微电子器件和光电集成。为了降低成本,适应新型器件制造的要...

孙聂枫 导师:吴霞宛 天津大学 2004-02-01 硕士论文

关键词: 磷化铟 / 单晶 / 大直径 / 高质量

下载(563)| 被引(2)

InP中的深能级杂质与缺陷(续)  CNKI文献

4SI-InP形成机理41.掺Fe SI-InP形成机理通常SI-InP是通过在晶体生长过程中掺入一定量的Fe来制备的。人们利用变温霍尔、光电导、深能级瞬态谱、光激瞬态电流谱等方法进行的大量研究测试结果表明[33-37],Fe在InP中产生...

孙聂枫 赵有文... 《微纳电子技术》 2008年11期 期刊

关键词: InP / 形成机理 / 深能级缺陷 / 半绝缘材料

下载(247)| 被引(3)

不同熔体配比的InP分析研究  CNKI文献

原位磷注入合成 L E C晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的 In P熔体, 并进行 L E C晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行了 F T I R、 P L、变温 Hall等测试工作, 得到了一...

孙聂枫 陈旭东... 《半导体情报》 1999年04期 期刊

关键词: 原位磷注入合成 / InP晶体 / 液封直拉法 / 熔体化学计量比

下载(79)| 被引(10)

V_(In)H_4在InP材料中的影响  CNKI文献

在未掺杂和掺Fe的LEC In中用FT IR测试到VInH4 的存在。已经证实该缺陷在LEC -InP中普遍存在。经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4 浓度比在未掺杂中的高。而在同一晶锭中其浓度分布是头部高 ,尾部低。讨论了其对未掺杂I...

孙聂枫 杨光耀... 《功能材料与器件学报》 2000年04期 期刊

关键词: InP / V_(In)H_4 / 补偿

下载(52)| 被引(4)

InP籽晶表面处理的装置设计与工艺优化  CNKI文献

为改善InP籽晶表面洁净度,保证InP材料生长时的电学参数并减小引晶阶段孪晶形成概率,设计了InP籽晶表面处理装置。该装置采用动态方式对籽晶表面进行处理,采用原子力显微镜扫描处理后籽晶的表面形貌,结果显示籽晶表面...

姜剑 孙聂枫... 《半导体技术》 2021年08期 期刊

关键词: InP / 籽晶 / 表面处理 / 腐蚀

下载(58)| 被引(0)

InP晶体中Fe、B、Cu和Zn的杂质分析  CNKI文献

采用液封直拉(LEC)法制备了掺Fe半绝缘磷化铟(InP)晶体,通过电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法和辉光放电质谱(GDMS)法等直接测试元素含量的方法研究了作为掺杂剂的Fe浓度分布和含量较高的B、Cu和Zn杂质对晶体质量的影响...

王阳 孙聂枫... 《微纳电子技术》 2020年08期 期刊

关键词: 磷化铟(InP) / Fe浓度 / 杂质分布 / 分凝

下载(99)| 被引(0)

LEC法生长高质量6英寸InP单晶  CNKI文献

制备大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。对于制备大尺寸半绝缘InP单晶而言,由于其需要在高温高压环境下生长,随着热场尺寸的增大,炉体中气氛以及熔体中的对流增大,因而易产生孪晶和多晶。采用液封直拉(LEC)技术...

邵会民 孙聂枫... 《半导体技术》 2020年08期 期刊

关键词: InP单晶 / 液封直拉(LEC)法 / 温度梯度 / 位错密度

下载(104)| 被引(2)

非接触四波混频技术测试InP单晶  CNKI文献

利用四波混频(FWM)技术测试了非掺杂、掺Fe半绝缘InP单晶的光电特性,对载流子的产生、复合和输运等过程进行了研究,分析了深陷阱在载流子的产生与输运中的作用,并给予了解释。利用光栅衰减动力学得到在不同激发水平下...

潘静 孙聂枫... 《半导体技术》 2011年02期 期刊

关键词: 磷化铟 / 晶体 / 四波混频 / 深陷阱

下载(97)| 被引(1)

磷化铟单晶退火及热应力分布的研究  CNKI文献

磷化铟单晶生长是一种液相转变为固相的过程,晶体生长过程中的热场条件直接影响晶体的热应力、电学均匀性、位错密度、晶片的几何参数。通过实验和理论分析研究热场条件对InP晶体生长的影响,通过晶锭退火、晶片退火、...

黄清芳 王阳... 《稀有金属》 2013年03期 期刊

关键词: InP / 单晶 / 热场 / 热应力

下载(310)| 被引(11)

太阳电池用多晶硅铸锭中非金属夹杂物的研究进展  CNKI文献

多晶硅广泛应用于太阳电池领域。多晶硅铸锭的结晶质量决定了后续晶锭的加工和光伏组件的性能及寿命。碳化硅和氮化硅是多晶硅铸锭中最常见的两种非金属夹杂物。系统概述了多晶硅铸锭中氮化硅及碳化硅的形貌特征、微观...

周瑞 王书杰... 《半导体技术》 2020年08期 期刊

关键词: 多晶硅铸锭 / 夹杂物 / 晶体生长 / 太阳电池

下载(155)| 被引(1)

InP高压直拉单晶炉的热场优化设计与分析  CNKI文献

高压直拉单晶炉的热场对磷化铟(InP)晶体生长过程有重要影响,存在缺陷的热场很难生长出合格的InP单晶,因此对InP晶体生长的热场进行优化设计与分析非常必要。提出了采用新型的碳/碳(C/C)复合材料加热器、复合固化硬毡...

梁仁和 曾周末... 《仪器仪表学报》 2018年11期 期刊

关键词: 高压单晶炉 / 磷化铟单晶 / 晶体生长 / 碳/碳复合材料

下载(216)| 被引(1)

磷化铟晶体中孪晶形成机理的研究进展  CNKI文献

孪晶可以降低化合物半导体单晶的成品率,是目前半导体材料领域研究的热点之一。针对InP及相关极易产生孪晶的半导体材料,系统介绍了孪晶形核的各类物理模型,归纳了材料属性、晶体生长放肩角度、温度梯度、生长速率...

王书杰 孙聂枫... 《半导体技术》 2022年08期 期刊

关键词: 孪晶 / 半导体材料 / 磷化铟(InP) / 多晶硅

下载(40)| 被引(0)

化学配比对掺铁InP中铁激活效率的影响  CNKI文献

采用磷注入法合成磷化铟(InP)熔体,用液封直拉(LEC)法生长了不同化学配比的掺铁(Fe)InP单晶。用红外吸收光谱研究了化学配比对掺Fe InP单晶中Fe激活效率的影响。结果表明,富磷条件下Fe的激活效率高于配比及富铟条件,分...

黄子鹏 杨瑞霞... 《电子元件与材料》 2021年07期 期刊

关键词: InP / 液封直拉(LEC)法 / 化学配比 / 缺陷

下载(44)| 被引(0)

高纯InP多晶的合成技术  CNKI文献

采用原位磷注入法合成了不同化学配比的磷化铟(InP)多晶。分析了熔体温度、磷泡压力和环境压力对合成速率的影响;对不同化学配比的多晶样品进行霍尔测试和辉光放电质谱(GDMS)测试,分析了影响InP多晶纯度的因素。结果表...

付莉杰 张晓丹... 《半导体技术》 2020年09期 期刊

关键词: 磷化铟(InP) / 原位磷注入法 / 合成速率 / 熔体温度

下载(129)| 被引(0)

富磷熔体生长InP单晶的均匀性研究  CNKI文献

采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料。分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究。...

杨帆 杨瑞霞... 《人工晶体学报》 2014年03期 期刊

关键词: 磷化铟 / 富磷 / 液封直拉法 / 缺陷

下载(126)| 被引(5)

磷化铟晶体合成生长研究现状  CNKI文献

介绍了磷化铟的基本属性及其在光电子与微电子器件方面的应用,归纳了磷化铟合成与单晶生长的主要方法,并对各种方法进行了比较。对国内外磷化铟体单晶领域的的研究状况、磷化铟中的缺陷与杂质及半绝缘磷化铟的形成机制...

高海凤 杨瑞霞... 《电子工艺技术》 2010年03期 期刊

关键词: 磷化铟 / 单晶生长 / 缺陷 / 杂质

下载(914)| 被引(16)

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