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非晶碳化硼薄膜  CNKI文献

我们用低温等离子化学汽相沉积技术研制的非晶碳化硼(a-BC),硬度为4500~4700HV,表面光洁、细赋,涂层与合金刀具粘结力强,与加工工件的扩散焊接势可以控制,该涂层刀具非常适于切削钛,铝、镍合金和其他非铁材料。

孙金坛 邱德润 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 1993年03期 期刊

关键词: 扩散焊接势 / 抗腐蚀 / 耐磨损 / 切削瘤

下载(127)| 被引(5)

氢化非晶碳化硅及其光电特性  CNKI文献

我们用射频辉光放电分解(CH4+SiH4)在单晶硅和玻璃衬底上制造非晶碳硅合金膜。通过红外吸收、光吸收、暗电导率和光电导率的测量给出了化学组分、光学带隙、红外光谱、暗电导率、光电导率、掺硼的影响和退火...

孙金坛 邱德润 《真空》 1994年01期 期刊

关键词: 衬底 / 射频辉光放电 / 化学组分 / 光学带隙

下载(95)| 被引(4)

掺硼对非晶碳化硅膜的影响  CNKI文献

试验观测了掺硼对氢化非晶碳化硅膜生长速率、膜的组分、光学带隙、电导率、硬度和结合力的影响.结果证明,用薄离子作分解(SiH4和CH4)混合气体制备的α-Si1-x:CX:H膜能有效的掺杂.硼掺杂可改变...

孙金坛 邱德润 《材料科学与工艺》 1994年01期 期刊

关键词: 硼酸三甲脂 / 掺硼 / 硬度 / 结合力

下载(70)| 被引(1)

离子注入片的激光背面退火  CNKI文献

本文给出了离子注入片背面激光照射退火的实验结果。用CWCO_2激光器和脉冲钕玻璃激光器从背面照射离子注入片进行退火,不仅可以消除注入损伤,使注入杂质电激活,还可以得到注入图形不发生变化的退火效果。激光背面照射...

孙金坛 程国义... 《半导体技术》 1983年05期 期刊

关键词: 激光器 / 离子注入 / 激光退火 / 注入层

下载(102)| 被引(0)

GaAs MESFET的压力敏感特性  CNKI文献

本文研究了GaAsMESFET对应力的敏感特性,分析了敏感原理。对GaAsMESFET用作力学量传感器的可能性进行了讨论。

孙金坛 陈军宁 《电子学报》 1994年02期 期刊

关键词: GaAsMESFET / 压力效应 / 传感器

下载(34)| 被引(2)

Si_3N_4-AlN新型陶瓷薄膜及其特性  CNKI文献

我们用直流反应溅射沉积Si_3N_4-ALN陶瓷薄膜,红外吸收光谱证明膜中含有Si-N键和Al-N键。x射线衍射证明在300℃低温下沉积的薄膜是非晶膜。此外,我们还测量了硬度、结合力、膜的应力、电阻率和光收率等,实验表明Si_SN...

孙金坛 邱德润 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 1993年04期 期刊

关键词: 氮化硅-氮化铝 / 薄膜 / 直流反应溅射 / 结合力

下载(52)| 被引(0)

制造非晶硅锗合金膜的新技术  CNKI文献

本文报告了我们设计的制造非晶硅锗合金膜的一种新方法——直流反应溅射法。用这种方法,我们得到了锗含量从5%到95%的分布均匀的氢化非晶硅锗合金,膜质均匀、致密,是制造太阳能电池、锗化锗晶体管的优良材料。

孙金坛 丛培金 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 1989年02期 期刊

关键词: 反应溅射 / 非晶硅锗合金 / 钝化 / 优良材料

下载(70)| 被引(0)

激光在半导体工艺中的应用  CNKI文献

本文给出了离子注入片和热扩散片的激光退火,激光诱导扩散和用激光照射制造肖脱基势垒二极管的实验结果。用cwCO_2激光器从硅片背面照射退火,不仅可以消除注入损伤,使注入杂质百分之百电激活,还可以得到注入结深不变的...

孙金坛 程国义 ... 《合肥工业大学学报》 1984年04期 期刊

关键词: 激光器 / 热扩散 / 半导体工艺 / 激光退火

下载(47)| 被引(0)

硅片背面激光损伤的吸杂效果  CNKI文献

本文介绍了硅片背面激光损伤吸杂实验,用金相显微镜观察证实了高温退火后激光损伤的热稳定性,研究了激光损伤对氧化层错(OSF)和载流子寿命的影响,用中子活化分析法测出了吸杂效果。

孙金坛 陈军宁 《中国激光》 1993年03期 期刊

关键词: 激光损伤吸杂 / 热稳定性 / 氧化层错 / 少子寿命

下载(45)| 被引(0)

a-Si:O:H钝化膜  CNKI文献

本文报道了用等离子放电SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积的氢化非晶硅氧合金膜,均匀、致密、耐腐蚀、半绝缘、电中性、富含氢,是较理想的半导体器件表面钝化膜.兼有SiO_2和a-Si_2H的优点,而又克服了它们各自的缺点.用氢化...

孙金坛 邹永庆 《半导体技术》 1989年01期 期刊

关键词: 氢化非晶硅 / 半导体器件 / 耐腐蚀 / 钝化膜

下载(28)| 被引(2)

新型α-Fe_2O_3-SnO_2气敏元件的研制  CNKI文献

采用混合盐溶液共沉淀法,我们配制出残存SO_4~(2-)的α-Fe_2O_3-SnO_2气敏材料,通过控制和改善材料的微观构造,提高了不添加资金属催化剂的α-Fe_2O_3的气敏活性。研制出旁热式气敏元件、测试了静态特性。该元件具有成...

孙金坛 陈军宁 ... 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 1991年01期 期刊

关键词: 共沉淀 / 灵敏度 / 旁热式 / 微结构

下载(31)| 被引(0)

AlN-Si_3N_4膜  CNKI文献

用直流反应溅射沉积AlN-Si3N4膜。通过红外吸收光谱和X射线衍射来验证薄膜的结构。通过各种测量,给出了吸收系数、电阻率、应力、硬度和结合力。实验表明,AlN-Si3N4膜具有良好的光、电和机械特性。

孙金坛 邱德润 《真空科学与技术》 1994年06期 期刊

关键词: 化学气相沉积 / 直流反应溅射 / 非晶 / 应力

下载(36)| 被引(0)

激光掺杂和退火的研究  CNKI文献

本文报告了用激光照射涂层硅片进行掺杂制造突变 pn 结的实验;形成的 pp~+和 nn~+结构具有良好的欧姆接触。也给出了用激光退火热扩散硅片的实验结果。

孙金坛 程国义... 《应用激光》 1982年04期 期刊

关键词: 激光退火 / 热扩散 / 激光掺杂 / 激光照射

下载(68)| 被引(0)

激光损伤硅片背面对微缺陷的吸除效果  CNKI文献

本文研究了cwCO_2激光器照射硅片背面产生辐射损伤对微缺陷的吸收效果:对MOS界面特性的影响,对表层少子寿命的影响,对PN结漏电流、晶体管电流放大系数h和击穿电压BV_(ce0)的影响:对集成电路成品率的影响。结果表明,这...

孙金坛 陈军宁 《合肥工业大学学报》 1984年03期 期刊

关键词: 微缺陷 / 金属杂质 / 电流放大系数 / 激光照射

下载(23)| 被引(0)

一种优越的钝化膜(a-Si:O:H)  CNKI文献

本文报道了用等离子放电SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积氢化非晶硅氧合金膜,均匀、致密、耐腐蚀、半绝缘、电中性、富含氢,是较理想的半导体器件钝化膜。兼有SiO_2和a-Si:H的优点,而又克服了它们各自的缺点。用它钝化的平...

孙金坛 邹永庆 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 1989年01期 期刊

关键词: 非晶硅 / 氢化非晶硅氧合金 / 致密 / 耐腐蚀

下载(21)| 被引(0)

射频等离子退火  CNKI文献

本文介绍了MOS、MNOS电容器和双极型晶体管进行射频等离子退火的实验结果。用这种退火技术可以明显地降低各种MIS结构中的固定电荷和界面陷阱。可使双极型晶体管的小电流放大系数(h_(FE))提高一个数量级以上。它也能去...

孙金坛 《合肥工业大学学报》 1983年03期 期刊

关键词: 双极型晶体管 / 界面陷阱 / 数量级 / 电流放大系数

下载(22)| 被引(0)

激光损伤(LID)吸杂技术  CNKI文献

本文比较了各种吸杂技术,详细介绍了芯片背面激光损伤的吸除效果,使MOS电容器载流子产生寿命提高了二个数量级,达10~3μsec。把LID与HCL高温处理结合使用,差不多可以吸附起始衬底和管芯加工中引进的全部金属杂质(Au除...

孙金坛 陈军宁 《量子电子学》 1985年01期 期刊

关键词: 吸杂技术 / HCI / 激光损伤 / LID

下载(20)| 被引(0)

激光对硅片掺杂和退火的研究  CNKI文献

集成电路正向高速、高集成度、高可靠性、低成本和低功耗方向发展,正在按比例缩小单元尺寸,因此迫切需要微细加工、薄层外延、低温浅结掺杂。微波二极管、晶体管和太阳电池也需要突变结掺杂,浅结扩散。离子注入虽然已...

孙金坛 程国文... 《激光》 1982年05期 期刊

关键词: 离子注入 / 浓度扩散 / 激光退火 / 激光掺杂

下载(95)| 被引(0)

存贮时间内集区空穴的有效寿命  CNKI文献

本文提出集成电路晶体管在存贮时间内集区空穴有效寿命的概念。就集区杂质均匀分布和薄外延条件,通过求解空穴瞬态连续性微分方程,得到了存贮时间内集区空穴有效寿命的简易表达式。经过计算机数值解证明这一公式原则上...

孙金坛 付兴华 《合肥工业大学学报》 1982年01期 期刊

关键词: 晶体管开关 / 有效寿命

下载(13)| 被引(0)

薄外延集成电路的寄生PNP效应  CNKI文献

本文从包括埋层影响的集区杂质分布出发,求出了寄生PNP晶体管的共基极电流放大系数。结果指出,在薄外延条件下,寄生PNP效应严重,即使采用掺金工艺,寄生PNP效应也不能忽略不计。消除其影响的最好办法是使用SBD箱位。

孙金坛 付兴华 《合肥工业大学学报》 1982年02期 期刊

关键词: 晶体管 / PNP / 电流放大系数 / 平衡空穴浓度

下载(9)| 被引(0)

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