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双微通道板紫外像增强器工作特性研究  CNKI文献

为了研究双微通道板(MCP)对紫外像增强器辐射增益的影响,本文利用南京理工大学制造的宽光谱像管增益测试仪,对单MCP和双MCP紫外像增强器的辐射增益分别进行了测试分析。通过改变阴极电压、MCP输出端电压这两个参数,研...

程宏昌 端木庆铎... 《真空科学与技术学报》 2013年06期 期刊

关键词: 辐射增益 / 双微通道板 / 紫外 / 像增强器

下载(406)| 被引(14)

像增强器亮度增益测试的重复性研究  CNKI文献

亮度增益是衡量微光像增强器图像增强能力的一个重要技术指标,其直接影响着微光夜视系统的观察效果。为了提高像增强器亮度增益测试的重复性,在给像增强器提供稳定供电的条件下研究了光源色温、光源输出光亮度以及荧光...

拜晓锋 尹雷... 《红外与激光工程》 2013年02期 期刊

关键词: 亮度增益 / 重复性 / 像增强器 / 色温

下载(123)| 被引(9)

三代微光像增强器分辨力计算理论模型  CNKI文献

分辨力和传递函数MTF是微光像增强器的2个重要参数。长期以来,人们对于三代微光像增强器阴极发出的电子初能量分布没有统一的认识,从而没有一个公认的分辨力和MTF计算模型。通过理论分析和假设,给出一定条件下一个分辨...

程耀进 向世明... 《应用光学》 2007年05期 期刊

关键词: 三代微光像增强器 / 双近贴 / 微通道板(MCP) / 分辨力

下载(302)| 被引(34)

短波红外阈场助式光电阴极p-InGaAs/p-InP异质结设计与仿真  CNKI文献

针对一种短波红外阈透射式光阴极,简要介绍其光子吸收层和电子发射层分离式异质结结构后,结合异质结两侧对红外光子显著吸收效应参数和对电子高效输运特性参数进行建模,详细研究了场助电压对p-p型异质结能带结构和对短...

刘峰 石峰... 《红外技术》 2015年09期 期刊

关键词: 场助式光阴极 / 短波红外阈 / InGaAs / 异质结

下载(115)| 被引(2)

防离子反馈微通道板表面碳污染去除的试验研究  CNKI文献

针对带防离子反馈膜的微通道板(MCP)普遍存在的C污染现象,开展了真空热处理、紫外臭氧辐照及氢气热处理试验,对各个试验结果进行了MCP电性能测试及俄歇电子能谱(AES)研究,着重分析了MCP表面C含量及MCP性能随不同试验方...

杨晓军 李丹... 《红外技术》 2020年08期 期刊

关键词: C污染 / 防离子反馈MCP / 紫外辐照 / 氢气处理

下载(30)| 被引(1)

电极表面状态对像增强器耐压性能的影响  CNKI文献

像增强器(简称像管)的耐压性能是影响其增益,背景噪声和分辨力的一个重要因素。引起像管电击穿的原因很多,其中,电极的表面形态在其击穿的起始阶段发挥着重要的作用。本文针对像管特有的高场强微间隙电场结构,通过对不...

杨晓军 焦岗成... 《真空科学与技术学报》 2017年06期 期刊

关键词: 像管 / 场致发射 / 表面状态 / 耐压性能

下载(70)| 被引(1)

微通道板(MCP)电子清刷用电子枪的设计  CNKI文献

为了满足Φ30 mm MCP大束流短时间电子清刷新工艺要求,以轴向电子枪工作原理为基础,利用静电场对电子的作用理论,分析了电子的运动轨迹,并对电子的偏转进行了计算。根据计算结果,设计了电子枪的基本结构,确定了电子枪...

程宏昌 石峰... 《应用光学》 2007年05期 期刊

关键词: 微通道板(MCP) / 电子清刷用电子枪 / 电子枪灯丝

下载(133)| 被引(8)

微光器件铟封漏气因素分析  CNKI文献

为解决微光管光电阴极与管体铟封漏气问题,采用扫描电镜和X射线能谱仪对铟材和封接过程工艺质量进行全面分析,结果表明造成铟封漏气的根本原因是铟量小,铟表面氧化和吸附的杂质污染造成的,与铟纯度无关。采取提高真空...

徐江涛 程耀进... 《真空电子技术》 2008年05期 期刊

关键词: 微光器件 / 铟封漏气 / 气密性 / 杂质污染

下载(198)| 被引(7)

透射式p型GaN(0001)光电阴极的表面洁净度及表征研究  CNKI文献

在p型GaN(0001)光电阴极的化学腐蚀和高温热清洗的处理过程中,为了评价化学处理和热清洗的效果,利用X射线光电子谱分析了不同阶段的光电阴极表面状况。结果表明,开始处理前,表面存在严重的C、O污染,C的表面覆盖率接近...

冯刘 石峰... 《真空科学与技术学报》 2016年01期 期刊

关键词: GaN / X射线光电子谱 / 化学腐蚀 / 热清洗

下载(72)| 被引(0)

低磁控溅射率MCP防离子反馈膜工艺研究  CNKI文献

为消除反馈正离子对三代微光夜视器件光阴极的有害轰击,提高微光像增强器的工作寿命,开展了低磁控溅射率法沉积微通道板(MCP)Al2O3防离子反馈膜的工艺研究。通过优化制备工艺,获得了制备MCP防离子反馈膜的最佳沉积条件...

朱宇峰 张太民... 《应用光学》 2008年03期 期刊

关键词: 磁控溅射 / 微通道板(MCP) / 防离子反馈膜

下载(98)| 被引(4)

微光像增强器管壳内部真空度恶化分析研究  CNKI文献

微光像增强器是重要的光电器件,本文研究该器件在制作过程中出现的部分像管工作寿命低的原因,根据潘宁放电原理,结合气体在材料中的扩散理论和气体在极其微小漏孔中的流动理论,对密封像管管壳内部真空度变化进行了检测...

程耀进 徐江涛... 《真空电子技术》 2012年02期 期刊

关键词: 微光像增强器 / 真空度 / 放气 / 漏气

下载(107)| 被引(1)

电真空器件管壳耐压特性分析  CNKI文献

本文指出了电真空器件的高压放电和击穿类型,真空击穿和沿面闪络的物理机理、影响因素和预防措施。

程耀进 程宏昌... 《真空电子技术》 2005年03期 期刊

关键词: 电真空器件 / 陶瓷管壳 / 真空击穿 / 沿面闪络

下载(137)| 被引(0)

近贴聚焦成像器件光电阴极传递封接工艺研究  CNKI文献

依据近贴聚焦系列成像器件研究的需要,开展了光电阴极真空传递封接工艺研究,并且结合器件的研制对封接工艺质量进行了可靠性的考核。结果证明,用InSn合金焊料进行光电阴极真空传递封接,其工艺稳定,性能质量可靠,封接气...

程耀进 徐江涛... 《真空电子技术》 2009年06期 期刊

关键词: 近贴聚焦 / 成像器件 / 阴极传递 / 封接

下载(63)| 被引(1)

近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析  CNKI文献

为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%...

徐江涛 程耀进... 《真空电子技术》 2011年05期 期刊

关键词: 近贴聚焦 / 成像器件 / 管体注铟 / 熔层气泡

下载(35)| 被引(1)

二代倒像微光像增强器管内质量污染分析  CNKI文献

针对二代倒像微光像增强器研制中出现的制管成品率低的问题,全面对制管工艺过程中质量污染产生的根源和污染给管子带来的问题进行了分析、讨论,并结合制管进行了证实。有油真空处理设备中的油蒸气返流是造成管子部件污...

徐江涛 程耀进... 《真空电子技术》 2009年03期 期刊

关键词: 倒像 / 微光像增强器 / 质量污染 / 成品率

下载(51)| 被引(0)

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