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铪基氧化物材料及其器件应用  CNKI文献

随着信息与集成电路技术和产业的快速发展,目前已经进入到大数据与后摩尔技术时代,如何快速有效地处理海量复杂信息,成为传统的微电子集成电路技术面临的巨大的挑战与发展瓶颈,探索研究并提出变革性技术,突破传统技术...

康晋锋 《微纳电子与智能制造》 2019年04期 期刊

关键词: 铪基氧化物 / 阻变效应 / 铁电效应 / 忆阻与神经形态器件

下载(121)| 被引(1)

CeO_2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质  CNKI文献

研究了 Ce O2 作为高 K (高介电常数 )栅介质薄膜的制备工艺 ,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用 N离子轰击氮化 Si衬底表面工艺对 Ce O2 薄膜的生长及其与 Si界面结构特征的影响 ,利用脉冲激光淀...

康晋锋 刘晓彦... 《半导体学报》 2001年07期 期刊

关键词: 高K栅介质 / CeO2薄膜 / Si表面/界面氮化 / 电学性质

下载(163)| 被引(15)

正常态金属与氧化物高温超导薄膜界面扩散特性分析  CNKI文献

利用二次离子质谱(SIMS)技术,分析了Ag和A1与YBa_2Cu_3O_(7-x)(YBCO)超导薄膜接触界面互扩散.结果显示,它们有不同的互扩散特征.利用SIMS的分析结果,可以很好地理解经高温热处理后,Ag/YBCO和A1/YBCO样品具有不同界面电...

康晋锋 陈新... 《物理学报》 1995年11期 期刊

关键词: 互扩散 / 氧化物高温超导体 / 氧气氛 / 高温超导薄膜

下载(100)| 被引(6)

铁电存储器技术及应用浮出水面  CNKI文献

铁电存储器是一类利用铁电材料的铁电特性进行信息存储的新型非挥发性(非易失性)半导体存储器。与传统的非挥发性存储器如E~2PROM等相比,其具有读写速度快、使用寿命长、抗辐射、抗干扰等一系列的优点。由于其制备工艺...

康晋锋 《世界产品与技术》 2001年03期 期刊

关键词: 铁电存储器 / 铁电薄膜 / 存储单元 / 技术及应用

下载(109)| 被引(1)

高T_c超导互连线高频传输特性分析  CNKI文献

利用能较好描述高温超导体反常温度特征的推广二流体模型和传输线理论,计算和模拟了用于VLSI封装互连的高温超导互连线的传输常数随温度的变化关系和上升时间对温度及互连线宽度与长度的依赖关系,并将之与利用传...

康晋锋 韩汝畸... 《电子学报》 1996年11期 期刊

关键词: 高温超导 / VLSI互连 / 传输常数 / 上升时间

下载(49)| 被引(2)

硅集成电路光刻技术的发展与挑战  CNKI文献

从微电子集成电路技术发展的趋势 ,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求 ,综述了当前主流的DU V光学曝光技术和新一代曝光技术中的 15 7nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印...

王阳元 康晋锋 《半导体学报》 2002年03期 期刊

关键词: 光刻 / 集成电路 / 微电子

下载(2238)| 被引(105)

超深亚微米集成电路中的互连问题——低k介质与Cu的互连集成...  CNKI文献

半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求 ,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战 ,其中 Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一 ,也是互连集成...

王阳元 康晋锋 《半导体学报》 2002年11期 期刊

关键词: 互连集成技术 / 互连的限制和挑战 / 低k介质 / Cu互连

下载(1259)| 被引(116)

具有HfN/HfO_2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研...  CNKI文献

研究了HfN/HfO_2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO_2高K栅结构的等效氧化层厚度(EOT)为1·3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由...

萨宁 康晋锋... 《物理学报》 2006年03期 期刊

关键词: 高K栅介质 / 负偏置-温度不稳定性(NBTI) / 反应-扩散(R-D)模型

下载(221)| 被引(6)

Al_2O_3高k栅介质的可靠性  CNKI文献

利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为 3 45nm的Al2 O3栅介质MOS电容 ,研究了Al2 O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征 .击穿实验显示 ,样品的Al2 O3栅介质的等效击穿场强大小为1 2 8MV/cm...

杨红 康晋锋... 《半导体学报》 2003年09期 期刊

关键词: 高k栅介质 / 可靠性 / 时变击穿

下载(255)| 被引(5)

物理学研究与微电子科学技术的发展  CNKI文献

回顾了微电子学的诞生和微电子技术的发展历史 ,展望了微电子技术未来的发展趋势 .在微电子技术诞生和发展过程中具有一些里程碑式的发明 ,如晶体管、集成电路、集成电路平面工艺、MOS器件、微处理器、光刻技术、铜互...

王阳元 康晋锋 《物理》 2002年07期 期刊

关键词: 微电子学 / 集成电路 / 摩尔定律 / 物理限制

下载(658)| 被引(10)

HfO_2高K栅介质薄膜的电学特性研究  CNKI文献

研究了高 K(高介电常数 )栅介质 Hf O2 薄膜的制备工艺 ,制备了有效氧化层厚度为 2 .9nm的超薄MOS电容。对电容的电学特性如 C-V特性 ,I-V特性 ,击穿特性进行了测试。实验结果显示 :Hf O2 栅介质电容具有良好的 C-V特...

韩德栋 康晋锋... 《固体电子学研究与进展》 2004年01期 期刊

关键词: 高介电常数栅介质 / 二氧化铪薄膜 / 电学特性

下载(390)| 被引(8)

Co_xTi_(1-x)O_(2-δ)体材中氢退火引起的铁磁性及结构相变  CNKI文献

利用固相反应法在700℃—1000℃不同的温度下、空气中烧结Co3O4和TiO2混合物,制备了(Co_3O_4)_x/3(TiO_2)_(1-x)(0<x≤0·1)样品,所有的烧结样品均表现出顺磁行为,但经500℃氢退火后均表现出室温铁磁性.X射线衍...

孔令刚 康晋锋... 《物理学报》 2006年03期 期刊

关键词: 室温铁磁性 / 结构相变 / 锐钛矿 / 氢退火

下载(125)| 被引(7)

超薄HfO_2高K栅介质薄膜的软击穿特性  CNKI文献

研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9nm的超薄MOS电容。当栅氧化层很薄时会发生软击穿现象,软击穿和通常的硬击穿是不同的现象。分别利用在栅介质上加恒流应力和恒压应力两种方...

韩德栋 康晋锋... 《固体电子学研究与进展》 2005年02期 期刊

关键词: 高介电常数栅介质 / 二氧化铪薄膜 / 软击穿

下载(334)| 被引(6)

一种可以表征铁电晶体管存储性能退化的宏模型  CNKI文献

从铁电晶体管的动态翻转和双阈值转移特性出发,建立了一种基于施密特触发器的FEFET(铁电场效应晶体管)行为级宏模型。该宏模型可以表征FEFET的转移特性,并且模型参数较少便于调节;模型结构简单、规模较小,可用于HSPIC...

刘福东 康晋锋... 《北京大学学报(自然科学版)》 2009年06期 期刊

关键词: 铁电动态随机存储器 / 铁电场效应晶体管 / 宏模型 / HSPICE

下载(123)| 被引(2)

高k栅介质MOSFET的栅电流模型(英文)  CNKI文献

提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型 .在该模型的基础上 ,研究了采用不同高介电常数栅介质材料时MOSFET的栅电流与介质材料的介电常数、禁带宽度及和Si导带不连续等参...

刘晓彦 康晋锋... 《半导体学报》 2002年10期 期刊

关键词: MOSFET / 直接隧穿 / 栅电流 / 高k栅介质

下载(155)| 被引(2)

恒电流应力引起HfO_2栅介质薄膜的击穿特性  CNKI文献

利用磁控溅射的方法在 p- Si上制备了高 k(高介电常数 )栅介质 Hf O2薄膜的 MOS电容 ,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究 .利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积 Hf O2 薄栅介质的击穿特性以...

韩德栋 康晋锋... 《半导体学报》 2004年08期 期刊

关键词: 恒电流应力 / 高k / HfO2 / 击穿

下载(165)| 被引(1)

32nm及其以下技术节点CMOS技术中的新工艺及新结构器件  CNKI文献

32nm及其以下技术节点的发展需要从器件结构、加工技术以及材料选用等各个方面进行创新,其中金属栅/高k栅介质的新型栅结构,以应变硅为代表的沟道迁移率增强技术,以及以FinFET为代表的新型非平面MOSFET结构均成为32nm...

王阳元 张兴... 《中国科学(E辑:信息科学)》 2008年06期 期刊

关键词: 集成电路 / 纳米尺度 / 金属栅/高k栅介质 / 超薄体

下载(1001)| 被引(41)

纳米材料及HfO_2基存储器件的原位电子显微学研究  CNKI文献

总结了我们将原位技术和透射电子显微学分析方法相结合,针对纳米材料和器件的结构、形貌、成分以及电势分布等物理性质的动态行为所开展的综合物性表征和分析工作.主要成果有:揭示了C_(60)纳米晶须在焦耳热作用下的结...

李超 姚湲... 《物理学报》 2018年12期 期刊

关键词: 透射电子显微学 / 原位 / 纳米材料 / 微电子器件

下载(125)| 被引(2)

ZnCoO稀磁半导体的室温磁性  CNKI文献

采用固相反应法,将ZnO和Co2O3粉末按不同的成分配比混合,制备了稀磁半导体Zn1-xCoxO(x=0·02,0·06,0·10)材料.并使用H2气氛退火技术对样品进行了处理,得到了具有室温铁磁性的掺Co氧化锌稀磁半导体.利用...

王漪 孙雷... 《物理学报》 2006年12期 期刊

关键词: 稀磁半导体 / 氧化锌 / 掺杂 / 固相反应法

下载(605)| 被引(17)

HfO_2高k栅介质漏电流机制和SILC效应  CNKI文献

利用室温下反应磁控溅射的方法在 p- Si(1 0 0 )衬底上制备了 Hf O2 栅介质层 ,研究了 Hf O2 高 k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流 (SIL C)效应 .对 Hf O2 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注...

王成刚 韩德栋... 《半导体学报》 2004年07期 期刊

关键词: HfO2栅介质 / 泄漏电流输运机制 / Schottky发射 / Frenkel-Poole发射

下载(502)| 被引(23)

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