综述了近几年来长余辉发光材料研究的最新进展,包括三方面:新材料研制,新应用领域的开拓和发光机理研究的模型.材料方面,主要介绍了红光、蓝光研究的进展与获得长余辉发光的关键因素-结构缺陷形成的陷阱态,以及稀土掺...
概述了近年来闪烁体发光研究的进展 ,主要介绍用于未来高能物理实验的新型闪烁体发光机理研究 ,选取我们在研究BaF2 ,BaF2 ∶RE ,CeF3 以及PbWO4中的一些新进展。重点谈及三点 :(1)在BaF2 的“价带→芯带”跃迁发光研...
以同步辐射真空紫外光 (1 95nm)为激发源 ,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射 ,其峰值波长分别为 380 ,36 9.5 ,2 90nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系 ,但其激发谱相同。强激发...
介绍了同步辐射用于稀土发光材料研究的基本概况。主要包括以下方面:(1)利用同步辐射极宽的光谱分布研究稀土发光的激发谱(35～300nm)和选择激发下的发射谱;(2)利用同步辐射快脉冲光(ps级)研究选择激发下的发光衰减规...
宽禁带、绝缘体材料中的激子动力学研究(同步辐射应用) CNKI文献
本文综述了近年来使用同步辐射研究稀有气固体、碱卤化物、碱土卤化物以及含稀土的离子晶体等宽禁带、绝缘体材料在激子动力学特性方面所取得的主要进展。包括激子的基本特性,激子与晶格的相互作用,特别是激子的自陷与...
在对PbWO4闪烁晶体的光谱特性、发光衰减及其温度依赖以及热释光的研究基础上,并结合理论计算,提出了PbWO4晶体发光的动力学模型,给出了PbWO4晶体的基本能带结构及激子发光中心能态、陷阱能级在能隙中的位置。用此模型...
近年来,发现同步辐射是固体光谱学研究中很好的辐射源,填补了经典光源辐射波段的空白,具有强度大,从红外到X光波段连续可调,高度偏振等独特优点,现已发展为一门独立的新技术,扩大到物理学、化学、生物学、医学等各个科...
溴氧化(钅兰):铽(LaOBr:Tb)荧光粉的发光特性 CNKI文献
本文论述了溴氧化镧:铽(LaOBr:Tb)这种新型的阴极射线荧光粉的发光特性,包括光谱特性(发射光谱、反射光谱、激发光谱),亮度特性和余辉特性,根据这些特性的分析研究,对发光机理作了初步探讨。
介绍了医学射线成像技术（包括平面Ｘ射线成像、Ｘ射线计算机层析扫描、单光子发射计算机层析扫描和正电子发射层析扫描）对于闪烁体的要求．概述医用闪烁体的发展历史，着重介绍了近年来新型医用闪烁体（主要有ＧＳＯ...
Tb~(3+)激活的Y_2O_2S,Gd_2O_2S,和LaOBr的温度效应实验表明:不同的激发方式(光致发光,阴极射线发光)和不同的激活剂浓度有不同的温度特性。其热稳定性按Gd_2O_2S,Y_2O_2S,LaOBr顺序递增,无论在光致发光中,阴极射线发...
介绍了新型闪烁体辐照效应的研究进展．高能物理实验中使用的闪烁晶体（如ＰＷＯ、ＧＳＯ：Ｃｅ、ＣｅＦ３等）用于强辐照环境，要求高辐照硬度．闪烁体在辐照后可能产生的变化主要有：色心的形成、光输出改变、光输出...
纳米ZnO的许多优异性能使其成为人们研究的热点并得到广泛的应用.随着ZnO颗粒尺度的不断减小,其量子限域效应越来越明显,观察到电荷载流子,声子,光子的局域化效应;表面、界面态对其性质影响逐渐明显,通过表面修饰和置...
(CaO)_(20.68)(MgO)_(1.32)(SiO_2)_4S_2∶Eu~(2+),Dy~(3+)... CNKI文献
研究了峰值波长651nm的红色发光材料(CaO)20.68(MgO)1.32(SiO2)4S2∶Eu2+,Dy3+的制备及发光特性。通过XRD分析表明硫气氛中合成的材料为具有硫成分的硅酸盐相。红光发射带为硫元素进入晶格后在发光中心周围形成了类似...
一种新型的x射线二维图像存储探测器的问世,引起了人们的极大关注。被誉为是物理、生物、医学上二维x射线探测技术的“革命”性进展。此系统的核心部件是EaFBr:Eu光激励发光屏(即成像板)。x光激发后形成的色心分布就是...
本文介绍了近年来研制Ⅱ Ⅵ族半导体激光器的一个新的途径———ZnO的纳米微晶结构。它分为两大类别 :即六角柱形蜂巢状结构和粉末状颗粒结构。都已在近紫外波段实现了室温下光泵激发的受激发射。它将是继Ⅱ Ⅵ族硒化...
纳米ZnO和ZnO∶Eu~(3+)的表面效应及发光特性 CNKI文献
纳米ZnO ,ZnO :Eu3+ 及其添加覆盖层样品的光谱性质表明 ,表面有机物覆盖层具有改善发射光谱 ,增强基质与Eu3+ 间能量传递的良好效果 .通过比较不同温度 (6 0 ,80 0℃ )处理的ZnO :Eu3+ 发光强度 ,发现了小尺度 (纳米...
GdVO_4:Eu~(3+)有着十分优良的发光特性,它发光强度高,特别是具有很好的温度特性,在室温以上发光强度随温度的升高而增强,很利于在高温下使用此材料。本文对它的热释光进行了研究,其热释光峰值分别位于193,235和304K,...
长余辉材料Sr_2MgSi_2O_7∶Eu~(2+),Dy~(3+)中稀土离子的发... CNKI文献
利用同步辐射光源(德国HASYLAB实验室的SUPERLUMI实验站)和真空紫外激光(157.6nm)对新型蓝光发射长余辉材料Sr2MgSi2O7∶Eu2+(0·2%),Dy3+(8%)进行了光谱研究。在170nm同步辐射光源激发下,观察到对应Eu2+:5d-4f跃...
关键词： 长余辉材料 / 稀土 / Sr_2MgSi_2O_7∶Eu~(2+) / Dy~(3+)
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GaN是一种新型的宽禁带半导体兰色发光与激光材料。GaN中的缺陷和杂质对于材料的电学输运特性和发光性能有着至关重要的影响。本文综述了近年来对于GaN中缺陷和杂质的理论与实验研究。包括对天然缺陷与非特意性掺杂的...
