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基于SiC基底的Y_2O_3/Al_2O_3堆栈MOS电容的特性研究  CNKI文献

通过在n型碳化硅(SiC)晶圆上用物理气相沉积法(PVD)和原子层沉积法(ALD)分别沉积Y_2O_3介质和Al_2O_3,形成金属/Al_2O_3/Y_2O_3/SiC高k介质堆栈结构MOS电容。X射线光电子能谱(XPS)分析研究Al_2O_3/Y_2O_3堆栈结构氧化...

李诚瞻 赵艳黎... 《电子器件》 2019年01期 期刊

关键词: 碳化硅 / MOS电容 / 高k介质 / Y_2O_3/Al_2O_3堆栈

下载(159)| 被引(2)

一种低感封装的1200V混合碳化硅功率模块  CNKI文献

为了实现1 200 V混合SiC功率模块的低感封装,文章介绍通过芯片优选和芯片优化布局设计、采用低感母排取代键合铝线的跨接等措施,将功率模块的寄生电感减小到16 n H,有效降低了模块的峰值电流和振荡时长,缓解了混合SiC...

李诚瞻 常桂钦... 《大功率变流技术》 2016年05期 期刊

关键词: 碳化硅 / 功率模块 / 寄生电感 / 电流振荡

下载(314)| 被引(3)

碳膜保护对高温激活SiC表面形貌的影响  CNKI文献

采用碳膜覆盖于SiC晶片表面,作为SiC离子注入后高温激活退火的保护层,1650℃20 min高温退火后,有碳膜保护的SiC晶片表面粗糙度RMS只有0.6 nm,无明显形貌退化。AZ5214光刻胶在不同温度条件Ar气氛围下碳化40 min,光刻胶...

李诚瞻 王弋宇... 《电子器件》 2014年06期 期刊

关键词: SiC / 高温激活 / 碳膜 / 表面粗糙度

下载(195)| 被引(4)

InGaP/GaAs HBT射频功率放大器在片温度补偿电路研究  CNKI文献

本文针对无线通信应用的InGaP/GaAs HBT射频功率放大器,提出一种新型的在片温度补偿电路。该温度补偿电路由一个GaAs HBT和五个阻值大小不同的电阻组成,结构简单,可实现性强。通过调整偏置电路中参考电压的方法调节功...

李诚瞻 陈志坚... 《中国集成电路》 2010年11期 期刊

关键词: GaAs / HBT / 功率放大器 / 温度补偿电路

下载(428)| 被引(7)

等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理  CNKI文献

对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析Al Ga...

李诚瞻 庞磊... 《半导体学报》 2007年11期 期刊

关键词: 等离子体刻蚀 / 凹栅槽 / 栅电流 / N空位

下载(276)| 被引(9)

AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系  CNKI文献

比较有无AlN插入层AlGaN/GaNHEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaNHEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作...

李诚瞻 刘键... 《半导体学报》 2006年06期 期刊

关键词: AlN插入层 / HEMTs / 电流崩塌效应 / 热电子

下载(285)| 被引(10)

钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响  CNKI文献

提出一种新的钝化技术——采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCl:H2O=1:4:20)对AlGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后再淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaNHEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件...

李诚瞻 刘丹... 《半导体学报》 2008年02期 期刊

关键词: AlGaN/GaN / HEMTs / 钝化 / 表面预处理

下载(250)| 被引(4)

An on-chip temperature compensation circuit for an InG...  CNKI文献

A new on-chip temperature compensation circuit for a GaAs-based HBT RF amplifier applied to wireless communication is presented.The simple compensation circuit is composed of one GaAs HBT and five re...

李诚瞻 陈志坚... 《半导体学报》 2011年03期 期刊

关键词: GaAs / HBT / power / amplifier

下载(119)| 被引(5)

掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究  CNKI文献

对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺杂对电流崩塌效应的抑制作用越显著.这是因...

李诚瞻 刘键... 《电子器件》 2007年05期 期刊

关键词: GaN / HEMT / 电流崩塌效应 / 掺杂

下载(293)| 被引(0)

检验GaN基外延材料质量的简易方法  CNKI文献

研究了GaN基外延材料对Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应的对应关系,提出了一种检验GaN基外延材料的简便方法。实验观察到,背对背肖特基结I-V特性对称...

李诚瞻 魏珂... 《半导体技术》 2008年S1期 期刊

关键词: 氮化镓 / 外延材料 / 背对背肖特基结 / 电流崩塌

下载(78)| 被引(0)

SiC JBS二极管衬底减薄与激光退火工艺  CNKI文献

衬底减薄可以大幅提升SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的电流密度,但减薄工艺和减薄引入的激光退火工艺仍面临巨大挑战。使用不同型号的金刚砂轮模拟了SiC衬底减薄精磨过程,研究了精磨后SiC衬底的界面质量;同时,使用波长为...

刘启军 李诚瞻... 《半导体技术》 2021年12期 期刊

关键词: 4H-SiC / 衬底减薄 / 激光退火 / 欧姆接触

下载(275)| 被引(0)

1200V大容量SiC MOSFET器件研制  CNKI文献

采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现...

刘新宇 李诚瞻... 《电子学报》 2020年12期 期刊

关键词: 碳化硅 / MOSFET / 栅极bus-bar / JFET注入

下载(278)| 被引(1)

SiC器件技术特点及其在轨道交通中的应用  CNKI文献

SiC器件具有高温、高频和低损耗的性能优势,将其应用于逆变器装置中,可有效提高系统效率,降低能耗,减小系统的体积和重量。本文基于SiC芯片和模块的技术特点分析,介绍了SiC器件在国内外轨道交通领域的应用情况,证实了...

刘可安 李诚瞻... 《大功率变流技术》 2016年05期 期刊

关键词: SiC器件 / 功率模块 / 轨道交通 / 牵引变流器

下载(510)| 被引(25)

600V 4H-SiC p+槽VDMOS雪崩耐量的仿真分析  CNKI文献

本文为了优化4H-Si CVDMOS的雪崩耐量,提出了一种新型的p+槽和深p+结合的4H-Si CVDMOS,利用TCAD仿真揭示了第一个场限环间距、p+槽的尺寸和深p+区的掺杂分布对VDMOS击穿和非箝位感性开关特性的影响规律。仿真结果表明...

高秀秀 李诚瞻... 《电子技术与软件工程》 2021年09期 期刊

关键词: p+区槽 / 深p+区 / 场限环间距 / 雪崩耐量

下载(72)| 被引(0)

SiC MOSFET芯片设计关键技术及发展趋势  CNKI文献

介绍了SiC MOSFET器件应用所具有的技术优势,并从理想耐压与导通电阻理论入手,确定了漂移层耐压结构的优化设计;综合考量阈值电压、氧化层电场集中和导通电阻特性,确定了芯片元胞各关键区域的优化设计;最后,从导通电阻...

高云斌 李诚瞻... 《大功率变流技术》 2017年01期 期刊

关键词: SiC / MOSFET / 阻断特性 / 导通电阻

下载(408)| 被引(5)

1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制  CNKI文献

基于SiC结势垒肖特基(JBS)二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终...

汤益丹 李诚瞻... 《半导体技术》 2018年04期 期刊

关键词: SiC结势垒肖特基(JBS)二极管 / 高温 / 大电流密度 / 反向漏电流

下载(206)| 被引(2)

SiC高温氧化工艺开发和界面特性分析  CNKI文献

将n型4H-Si C(0001)偏4°外延材料在1 200℃、1 250℃、1 300℃和1 350℃等4种温度条件下进行高温热氧化,生成SiO2薄膜;通过测试MOS电容结构的C-V和I-V特性,对Si O2/SiC界面特性进行了分析。结果表明,在1 350℃时...

赵艳黎 李诚瞻... 《大功率变流技术》 2015年01期 期刊

关键词: Si氧化工艺 / 界面态密度 / 击穿电场 / C-V特性

下载(206)| 被引(3)

4H-SiC栅氧氮化工艺优化  CNKI文献

为了改善SiC MOS电容氧化膜的质量和界面态密度,采用正交试验法考察了温度、压力、时间以及一氧化氮气流量等主要氮化工艺参数对4H-SiC MOS电容栅氧特性的影响,发现温度是影响栅氧特性最关键因素。优选出栅氧的最佳氮...

陈喜明 李诚瞻... 《大功率变流技术》 2016年05期 期刊

关键词: 4H-SiC / MOS电容 / 氮化工艺 / 击穿电压

下载(146)| 被引(2)

碳致深能级引起的AlGaN/GaN HEMT电流崩塌现象(英文)  CNKI文献

AlGaN/GaN HEMT良好的功率特性虽然被大量报导,但其电流崩塌现象仍是一个令人困扰的问题,作者通过实验证明了导致其电流崩塌的一个因素.两个AlGaN/GaN样片被分别放在纯氮气和掺碳的氮气气氛中快速退火,利用XPS证明了后...

庞磊 李诚瞻... 《半导体学报》 2008年06期 期刊

关键词: AlGaN/GaN / HEMT / 电流崩塌 / 碳杂质

下载(126)| 被引(0)

SiO_2/4H-SiC界面氮化退火  CNKI文献

通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层。为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化层退火条件,研究了不同退火条件下的SiO2/Si...

赵艳黎 李诚瞻... 《半导体技术》 2017年03期 期刊

关键词: SiO2/4H-SiC / 氮化退火 / 界面态密度 / 平带电压

下载(187)| 被引(0)

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