绝缘体上硅(SOI)是纳米技术时代的高端硅基材料。详细介绍了SOI在半导体技术领域中的应用,以及近年来为满足SOI的特殊应用要求研发的多种SOI新材料及其制备技术;综述了绝缘体上应变硅(sSOI),绝缘体上锗(GOI)等SOI技术...
综述了SOI技术的发展历程,SOI的主流技术,SOI技术发展的新动向,SOI技术的应用进展,并介绍了上海微系统与信息技术研究所和上海新傲科技有限公司的SOI研发和产业化情况。
与体硅材料和器件比较，SOI具有许多独特的优越性，例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩锁效应等，因而被称为二十一世纪的微电子技术而引起人们越来越多的关注．SOI技术正走向商业应用阶段，特别是应用于高性能、低...
林成鲁 张苗 《功能材料与器件学报》 1999年01期 期刊
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展,介绍了SOI器的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用,报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态。
关键词： 绝缘层上的硅(SOI) / 辐射 / SOI产业化
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纳米技术时代的高端硅基材料-SOI,sSOI和GOI CNKI文献
本文综述了纳米时代的高端硅基材料-SOI,sSOI和GOI,并结合介绍了上海微系统所和上海新傲科技有限公司相关的研究工作。
林成鲁 刘卫丽 《功能材料与器件学报》 2007年04期 期刊
关键词： 高端硅基材料 / 绝缘体上硅(SOI) / 绝缘体上应变硅(sSOI) / 绝缘体上锗(GOI)
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通过对最近两次 SOI国际会议的分析，了 SOI技术取得的新。三种 SOI技术 SIMOX， Smart－ cut和 BESOI已走向商业化 ,在高温与辐射环境下工作的 SOI电路也走向了市场。 近来人们更加重视 SOI技术，是因为 SOI在实现低...
退火气氛对掺银TiO_2薄膜结构和光催化性能的影响 CNKI文献
本文采用sol-gel法制备了掺银的TiO_2/glass纳米光催化薄膜,并分别在空气和真空条件下对薄膜进行退火处理.结构和光催化性能的测试结果表明,退火气氛对薄膜的结构和薄膜对染料溶液的光催化降解效率都有影响.经真空退火...
SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究 CNKI文献
本文研究了利用大剂量的N~+和O~+注入单晶硅并经高温热退火以后形成的SOI(silicon on Insulator)新材料的形成过程及其多层结构.对SOI结构进行了红外吸收谱和反射谱的测量,通过对红外反射干涉谱的理论分析和计算机模拟...
γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响 CNKI文献
利用N~+注入形成的SIMNI与激光再结晶的SOI材料制作了MOS器件,比较研究了~(60)Co γ射线辐照对两种SOI材料制作的MOS器件电学性能的影响。
SOI是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的、有独特优势、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,被国际上公认为是"二十一世纪的微电子技术"、"新一代硅"。本文综述了SOI的特点,国际...
一、三维集成电路随着大规模集成电路集成度的提高,通常的二维集成电路逐渐受到微细加工精度的限制,研制新型的真正立体结构的三维集成电路,近几年来引起了国际上许多国家的注意.美国斯坦福大学、贝尔实验室、麻省理工...
本文对BF_2~+、AS~+注入的多晶硅膜进行了快速热退火研究。结果表明;离子注入多晶硅的快速热退火可以得到优于常规热退火的电学性能.选择快速热退火条件可以控制多晶硅中的杂质分布;退火时的氮气保护能够抑制杂质的损...
用5—20keV As~+、BF_2~+注入与快速热退火制作超浅结的研究 CNKI文献
利用能量为5—20keV、剂量为5×10~(14)—5×10~(15)cm~(-2)的BF~+_2和As~+注入硅中,以快速热退火激活杂质并控制杂质的扩散再分布,可以得到结深～100nm、薄层电阻～60Ω/口的突变p~+-n和n~+-P超浅结。
注氧隔离的ＳＩＭＯＸ技术是获得ＳＯＩ材料的最先进的技术，本文讨论了ＳＩＭＯＸ技术的研究进展，比较了ＳＩＭＯＸ和ＳＩＭＮＩ两种材料的优缺点。
硅上β-FeSi_2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究 CNKI文献
项目批准号 :6 95 76 0 36成果简介 β- Fe Si2 作为一种新型半导体材料 ,具有 Eg=0 .84 - 0 .89e V直接带隙 ,并能在硅表面外延 ,为利用成熟的硅器件工艺发展硅基近红外光源 ,探测器等光电器件 ,并进而发展光电器...
本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＋或Ｎ＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ的物理效应及计算机模拟结果；分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制．在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成Ｓ...
林成鲁 施左宇 《微电子学与计算机》 1995年02期 期刊
自1977年以来,为了摸索离子注入半导体的新退火方法,各国学者进行了大量的研究工作。这种努力是从激光退火的研究开始的。激光与半导体材料相互作用的研究,已派生出若干很有生命力的应用项目,其中,快速热退火、SOI(Se...
综述了离子束科学技术领域新的重要进展──从作为半导体掺杂手段的低剂量（１０１１～１０１６／ｃｍ２）离子注入到高剂量（１０１７～１０１８／ｃｍ２）离子注入合成新材料的离子束合成技术。讨论了高剂量注入的物...
铝中注N~＋后氮化铝的合成及Cu杂质偏析的研究 CNKI文献
＜１００＞Ｓｉ衬底上淀积厚度为７００ｎｍ的铝薄膜（铝中含０．８５ｗｔ．％的Ｃｕ）．以剂量为４．３×１０１７－１．５×１０~（１８）ｃｍ~（－２）４００ｋｅｖＮ＿２~＋或３５０ｋｅＶＮ~＋的注入到铝...
