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二氧化锡薄膜的电阻气敏和光透射率气敏性能  CNKI文献

以无机盐为原料,采用新颖的溶胶-凝胶工艺制备了具有优良电阻-气敏性能的纳米晶二氧化锡薄膜,其在最佳工作温度 200℃对 600ppm CO的灵敏度可达 500,响应时间和恢复时间分别为13s和 20s.进...

林殷茵 汤庭鳌... 《无机材料学报》 2000年06期 期刊

关键词: 薄膜 / 二氧化锡 / 气敏 / 透射率

下载(394)| 被引(26)

二氧化锡薄膜的MOD法制备和表征  CNKI文献

采用新颖的金属有机物热分解方法(MOD)制备了二氧化锡薄膜。红外分析和热分析表明,先体制备过程中生成了锡的有机物,这对制备质量良好的光学薄膜起了决定作用。对薄膜的红外光谱和紫外一可见先谱的分析表明,薄...

林殷茵 汤庭鳌... 《功能材料》 2001年03期 期刊

关键词: 二氧化锡 / 薄膜 / 金属有机物热分解 / 制备

下载(298)| 被引(15)

纳米复合Fe-SiO_2粉体的制备和结构  CNKI文献

采用非醇盐溶胶-凝胶工艺可获得Fe与Si摩尔比达4.5/1的均匀凝胶,发现可以通过控制SiO2的含量和热处理条件来控制相结构和晶粒尺寸,热处理过程中α-Fe相是由Fe3O4相还原而来,材料中有大量氧参...

林殷茵 刘秦... 《硅酸盐通报》 1999年02期 期刊

关键词: 溶胶-凝胶 / 纳米复合材料 / 晶粒尺寸 / 制备

下载(208)| 被引(9)

SnO_2薄膜的溶胶-凝胶制备及气敏性能的研究  CNKI文献

采用非醇盐溶胶-凝胶工艺制得纳米微晶SnO2多孔薄膜,该法易于实现SnO2与多种添加剂的均匀掺杂。通过调整薄膜的微观结构使薄膜对C2H5OH和CO在最佳工作温度的灵敏度比调整前分别提高了3倍和14倍。

林殷茵 杨合情... 《压电与声光》 1998年03期 期刊

关键词: SnO_2 / 薄膜 / 溶胶-凝胶 / 气敏材料

下载(145)| 被引(11)

用于铁电存储器的PZT薄膜的制备与性能  CNKI文献

采用 MOD方法制得了具有纯钙钛矿结构和良好铁电性能的 PZT薄膜 ,典型 Pr、Ps、Ec值分别为 2 7μC/ cm2、4 4 μC/ cm2、10 .9k V/ mm,进一步分析表明 ,制备工艺对薄膜的析晶状态、晶粒尺寸和铁电性能有重大影响 ,析晶...

林殷茵 汤庭鳌... 《固体电子学研究与进展》 2001年02期 期刊

关键词: 锆钛酸铅 / 薄膜 / 铁电体

下载(157)| 被引(6)

纳米微晶SnO_2薄膜的制备和光学性能的研究  CNKI文献

以无机盐为原料制备得到纳米微晶SnO2薄膜。由透射比曲线计算发现,随热处理温度的升高,薄膜的折射率、消光系数均增大。研究表明,掺Ti的SnO2薄膜吸收边的跃迁属间接跃迁,随晶粒尺寸的减小,间接带宽增大...

林殷茵 刘秦... 《压电与声光》 1998年04期 期刊

关键词: 二氧化锡 / 纳米微晶 / 间接跃迁 / 吸收边

下载(112)| 被引(10)

用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS结构的机理研究  CNKI文献

分析了 MFIS FET的工作机理以及影响 MFIS电容的存储窗口特性的因素 ,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口特性 ,制备了 Au/Cr/PZT/Zr O2 /Si的 MFIS结构并研究了其存储窗口特性 ,存储窗口随...

林殷茵 汤庭鳌 《固体电子学研究与进展》 2003年03期 期刊

氧化钽基RRAM的循环耐受特性优化研究  CNKI文献

阻变存储器(RRAM)因其性能优异、可高密度集成以及与CMOS工艺兼容成本较低等众多优点而被广泛研究.用于制备阻变型存储器的关键材料有很多种,其中氧化钽材料由于与标准CMOS工艺兼容而被各大研究机构广泛关注,但TaOx基...

刘佩 林殷茵 《复旦学报(自然科学版)》 2016年01期 期刊

关键词: 氧化钽 / Ta2O5/TaOx / 循环耐受特性 / 阻变存储器

下载(135)| 被引(0)

Ge_2Sb_2Te_5材料与非挥发相转变存储器单元器件特性  CNKI文献

对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能。研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点...

凌云 林殷茵... 《功能材料》 2005年08期 期刊

关键词: 非晶半导体 / 阈值电压 / 相变存储器

下载(195)| 被引(11)

相变存储器的高可靠性多值存储设计  CNKI文献

基于相变存储器(PCM)已有的2T2R结构,提出一种以比值为导向的状态定义方法,以实现2T2R结构下PCM的多值存储.它在相变电阻具有4态可编写的能力下,可以实现单元内8态存储,同时对小尺寸验证,而对PCM存储电路的优化将使得...

洪洋 林殷茵... 《复旦学报(自然科学版)》 2006年01期 期刊

关键词: 相变存储器 / 2T2R / 多值存储 / 一维比值空间

下载(299)| 被引(4)

溶胶-凝胶法制备BiFeO_3铁电薄膜的结构和特性  CNKI文献

采用 sol gel 方法在 Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备出纯相铁酸铋薄膜。采用热分析方法研究了凝胶的化学变化和析晶过程。分析讨论了退火温度对薄膜的结构和形貌的影响。并用 XRD、SEM 等手段对样品在不同温度条件退火处理...

杨彩霞 林殷茵... 《功能材料》 2005年03期 期刊

关键词:  铁酸铋 / 溶胶凝胶 / 铁电薄膜

下载(988)| 被引(34)

镧掺杂对PZT铁电薄膜漏电学特性的影响  CNKI文献

研究了镧掺杂对PZT铁电性能和相结构的影响。研究表明镧掺杂增加了(110)和(200)峰的强度,减小了(111)峰的相对强度,导致矫顽场和极化强度的下降。研究了镧掺杂对漏电特性的影响,以及肖特基势垒电流模型。

程继 林殷茵... 《功能材料》 2004年06期 期刊

关键词: PZT / 矫顽场 / 极化强度 / 漏电模型

下载(193)| 被引(6)

PZT悬臂梁结构的优化设计  CNKI文献

推导了单层锆钛酸铅悬臂梁伸缩振动时振幅的表达式 ,得出振幅与电势差ΔV成正比 ,与长厚比L/d成正比 ,与宽度w无关。分类分析了锆钛酸铅悬臂梁弯曲振动的各种模式 ,通过有限元分析软件ANSYS仿真得出 :在相同几何尺寸、...

黄聪 林殷茵... 《固体电子学研究与进展》 2004年04期 期刊

关键词: 悬臂梁 / 锆钛酸铅 / 设计

下载(270)| 被引(3)

PZT薄膜微图形的制作精度的研究  CNKI文献

采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的...

刘秦 林殷茵... 《压电与声光》 1998年06期 期刊

关键词: 锆钛酸铅 / 薄膜 / 刻蚀 / 微观结构

下载(122)| 被引(11)

应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性  CNKI文献

将 Zr O2 和 PZT的 sol- gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中 ,制作出应用 Al/ PZT/ Zr O2 / p- Si结构的 MFIS电容和单管 MFIS FET,研究了 MFIS电容的界面和存储窗口特性 ,结果表明 Zr O2 介质阻挡层和 ...

颜雷 林殷茵... 《半导体学报》 2002年03期 期刊

铁电PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3薄膜的磁增强反应离子刻蚀  CNKI文献

采用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)工艺获得了铁电PbZr053Ti047O3(PZT)薄膜的微细图形.研究了用CHF3 气体在不同射频功率和气体流量下PZT薄膜、Pt和AZ1450J光刻胶的刻蚀...

刘秦 林殷茵... 《半导体学报》 1999年11期 期刊

关键词: 刻蚀速率 / 光刻胶 / 气体流量 / 射频功率

下载(111)| 被引(3)

LNO薄膜电极的制备及其特性研究  CNKI文献

采用水基化学溶液涂布(water basedcoating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜。系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的...

康晓旭 林殷茵... 《功能材料》 2003年03期 期刊

关键词: LNO / 氧化物电极 / 铁电体

下载(360)| 被引(13)

铁电存储器制备中关键工艺的改进  CNKI文献

传统铁电存储器制备工艺中 ,存在着 Pt/ Ti下电极刻蚀难、制作的铁电薄膜形貌不好和上电极容易起壳等问题。文章对铁电存储器制备中的一些关键工艺进行改进 ,降低了工艺复杂性 ,解决了上述问题。

钟琪 林殷茵... 《微电子学》 2000年05期 期刊

关键词: 铁电薄膜 / 铁电存储器 / 半导体工艺

下载(134)| 被引(3)

SRAM standby leakage decoupling analysis for different...  CNKI文献

SRAM standby leakage reduction plays a pivotal role in minimizing the power consumption of application processors.Generally,four kinds of techniques are often utilized for SRAM standby leakage reduct...

董庆 林殷茵 《Journal of Semiconductors》 2013年04期 期刊

关键词: SRAM / standby / power / leakage

下载(31)| 被引(0)

版图邻近效应的高精度标准单元波动检测电路  CNKI文献

随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素。为了应对先进工艺下版图邻近效应(LPE)的影响,代工厂需要...

胡心仪 林殷茵 《半导体技术》 2015年10期 期刊

关键词: 工艺波动 / 版图邻近效应(LPE) / 标准单元 / 阈值电压

下载(81)| 被引(1)

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