电子束蒸发法制备Co/Cu多层膜中巨磁电阻效应的研究 CNKI文献
研究了超高真空电子束蒸发法制备的Ｃｏ／Ｃｕ多层膜中过渡层Ｃｒ、磁性金属Ｃｏ层和非磁性金属Ｃｕ层厚度等对巨磁电阻效应的影响。结果表明：适当的Ｃｒ过渡层厚度有利于获得大的巨磁电阻效应，但过渡层太厚时由于其...
β－FeSi_2／SIMOX──一种新结构的光电子材料 CNKI文献
本文采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具...
多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构 CNKI文献
为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高K栅介质—非晶ZrO2薄膜。X射线光电子能谱(XPS)中Zr3d5/2和Zr3d3/2对应的结合能分别为182.1eV和184.3eV,Zr元素的主要存在形式为Zr4+,说明薄膜由完全氧化的ZrO2组成,并且纵向分布...
一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展 CNKI文献
SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时...
超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能 CNKI文献
采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可...
章宁琳 宋志棠... 《半导体学报》 2003年10期 期刊
关键词： 超高真空电子束蒸发法 / 全耗尽SOIMOSFET / 高k栅介质 / ZrO2
下载（111）| 被引（4）
以Al_2O_3为过渡层脉冲激光法制备PZT铁电薄膜 CNKI文献
为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100)、多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉冲激光淀积(PLD)法淀积PZT薄膜,衬底温度为3...
氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究 CNKI文献
本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微...
关键词： 高kHfON介电薄膜 / 总剂量辐射 / 陷阱电荷
下载（116）| 被引（1）
Ni过渡层对Co/Cu/Co三明治膜微结构及巨磁电阻性能的影响 CNKI文献
本文利用原子力显微镜对具有不同厚度 Ni 过渡层的 Co 5．0nm/Cu 3．5nm/Co 5．0nm 三明治在各个制备阶段样品的表面形貌进行了系统的研究,并结合 X 射线衍射的结果,发现 Ni 过渡层可以使 Co/Cu/Co 三明治的界面平整,...
李铁 沈鸿烈... 第五届全国STM学术会议论文集 1998-05-01 中国会议
关键词： 微结构 / 原子力显微镜(AFM) / 巨磁电阻效应 / 过渡层
下载（13）| 被引（0）
Si过渡层对Co/Cu/Co三明治膜巨磁电阻效应的影响 CNKI文献
用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜 .研究了不同厚度的Si过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响 ,发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到 0 .9nm时表现出明显的各向异性 ,而过渡层...
用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散射/沟道谱(RBS/C)和扩展电阻(SPR)的结果表明获得的SOI材料上层硅具有很好的单晶质量,电阻率分布均匀,上层硅与氧化硅埋层界面陡直。对制备多孔硅的衬底材料...
Fe为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻效应的研究 CNKI文献
用超高真空电子束蒸发方法成功制备了以不同厚度Ｆｅ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治巨磁电阻样品，与以Ｃｒ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治巨磁电阻样品比较，样品的矫顽力大大减小，因而样品的磁灵敏度有了较大...
关键词： 巨磁电阻效应 / Co/Cu/Co三明治 / 过渡层
下载（64）| 被引（3）
应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法...
具有覆盖层的Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应研究 CNKI文献
研究了覆盖层为铁磁性的 Fe和非铁磁性的 Ti、 Cu的 Co/Cu/Co三明治在室温和低温下 的巨磁电阻效应。实验结果表明，室温下有覆盖层时 , Co/ Cu/Co三明治的巨磁电阻效应值 没有明显变化，但以 Fe为覆盖层的样品的矫顽...
潘强 沈鸿烈... 《功能材料与器件学报》 2001年01期 期刊
关键词： 巨磁电阻效应 / Co/Cu/Co三明治 / 覆盖层
下载（64）| 被引（1）
采用超高真空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅 ,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响。采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构 ,截面透射电镜表征材料的微结构 ,原子力显微镜表征外延层表...
Influence of Si buffer layer on the giant magnetoresis... CNKI文献
The Co/Cu/Co sandwiches with a semiconductor Si buffer layer were prepared by high vacuum electron-beam evaporation. The influence of the Si buffer layer with different thickness on the giant magneto...
李冠雄 沈鸿烈... 《Science in China(Series E:Technological Sciences)》 2000年03期 期刊
关键词： buffer / layer / giant / magnetoresistance
下载（29）| 被引（1）
硅上β-FeSi_2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究 CNKI文献
项目批准号 :6 95 76 0 36成果简介 β- Fe Si2 作为一种新型半导体材料 ,具有 Eg=0 .84 - 0 .89e V直接带隙 ,并能在硅表面外延 ,为利用成熟的硅器件工艺发展硅基近红外光源 ,探测器等光电器件 ,并进而发展光电器...
β－FeSi_2薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析 CNKI文献
β－ＦｅＳｉ２薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）由于β－ＦｅＳｉ２具有Ｅｇ＝０．８５０．８７ｅＶ的直接带隙，并能在硅表面外延，被认...
倪如山 王连卫... 《电子显微学报》 1996年06期 期刊
关键词： 光电子材料 / 直接带隙 / 中国科学院上海冶金研究所 / 硅表面
下载（39）| 被引（2）
