(Na_(0.5)K_(0.5-x)Li_x)NbO_3高温无铅压电陶瓷性能研究 CNKI文献
为降低成本,采用传统电子陶瓷工艺制备了(Na0.5K0.5–xLix)NbO3(x=0.057～0.066)无铅压电陶瓷。Li取代K可以明显提高样品的居里温度(tC),x=0.066时样品的tC高达510℃,比纯(Na0.5K0.5)NbO3陶瓷高70℃左右。x=0.064时样...
可能是由于顾名思义的缘故,人们[1-4]常把电致伸缩效应称之为逆压电效应,认为逆压电效应就是电致伸缩效应.其实,逆压电效应与电致伸缩效应是截然不同的两种概念. 1880年,居里兄弟(Pierre and JacquesCurie)发现了压电...
对NaCl结构以外的离子晶体 ,采用单个埃夫琴晶胞不能求得马德隆常数 .分析了产生这一现象的根源 ,提出了用体积相近的两个埃夫琴晶胞计算离子晶体马德隆常数的方法 .
研究了Pb_3O_4对(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏材料电学性质的影响,当Pb_3O_4的含量从0.00增加到0.75％(摩尔分数,下同)时,(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增...
提出了纯金属电阻率的两个简化模型：一个统计模型，一个电子一声子耦合模型。由统计模型可得出：纯金属电阻率与声子浓度及声子平均动量的平方成正比。由电子－声子耦合模型得出：电子的散射几率不仅正比于声子数，而...
掺杂(Co,Nb,Pr)的SnO_2介电与压敏性质 CNKI文献
研究了(Co,Nb,Pr)掺杂的SnO_2材料介电和压敏性质.当Pr_6O_11的量分数从0％增加到0.1％时,SnO_2压敏电阻的相对介电常数从670降到280,击穿电压从827V/mm猛增到2 150V/mm.微观结构分析发现:当Pr_6O_11的量分数从0％增加...
目前电子陶瓷工艺普遍采用ZrO2球作为磨介。为了弄清ZrO2球磨损对压敏瓷性能的作用,系统研究了ZrO2对(Co,Nb)掺杂SnO2瓷的压敏和介电性质的影响。当ZrO2的含量(摩尔分数)从0.00增加到1.00%时,(Co,Nb)掺杂的SnO2压敏电...
Sr引起的(Co,Ta)掺杂SnO_2压敏陶瓷的晶粒尺寸效应(英文) CNKI文献
研究了SrCO3对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏陶瓷的微观结构和电学性质的影响。当x(SrCO3)从0增加到2.5%,该SnO2压敏陶瓷的压敏临界电场强度从318V/mm猛增到3624V/mm,而相对介电常数从1509大幅降至69。当x(SrCO3)为2.0%时,样...
Ag掺杂对新型SnO_2压敏材料的电学性质的影响 CNKI文献
烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的。为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2·6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验。当AgO的含...
研究了Ｃｏ２Ｏ３的含量对ＳｎＯ２·Ｃｏ２Ｏ３·Ｔａ２Ｏ３系列压敏电阻性能的影响。实验发现，在温度为１３５０℃下烧成的９９．２％ＳｎＯ２＋０．７５％Ｃｏ２Ｏ３＋０．０５％Ｔａ２Ｏ５材料具有最大的...
从压电方程、动力学方程入手，分析了（ｙｘｌ）φ切石英谐振器的厚度切变振动，利用自由边界条件及串联与并联谐振时的电学条件，求出了并联谐振频率和串联谐振频率，讨论了实测频率与频率公式存在一定偏差的原因。
本文分析了铌酸盐作为无铅无铋压电陶瓷的原因,采用适合工业生产的传统电子陶瓷工艺,制备出压电性能和居里温度都高的(Na0.5K0.5)1-x(LiSb)xNb1-xO3。其中(Na0.5K0.5)1-x(LiSb)0.052Nb0.948O3压电常数d33=286pC/N,平面...
通过对压电振子导纳轨迹的理论分析,本文提出了压电振子参数的电纳测量方法,并用该方法具体测定了钽酸锂(LiTaO_3)晶体的有关弹性常数和压电常数。
新编《固体物理教程》的第一个特色是只论述基础理论，不包括专业内容．除了教材体系作了改革外，对教学内容作了革新是本书的第二大特点．对某些固体物理问题的处理方法和物理模型进行了改进是本书的又一特点
本文提出了纯金属电阻率与声子浓度及声子平均动量的平方成正比的统计模型，由此简化模型．给出了纯金属电阻串的一个解析表达式，理论与实验规律相符，即在高温时，电阻率与温度Ｔ成正比，低温时与Ｔ￣５成正比．
费米面在布里渊区边界上必定与界面垂直截交的证明 CNKI文献
本文利用晶体中电子能带的周期性和反演对称性，证明了在布里渊区边界上，电子的等能面必定与界面正交．同时还推论出：处在布里渊区边界上的电子，其速度与界面平行．
晶列和昌面的指数与坐标系的选择有关.以布喇菲晶胞基矢为坐标系时,晶面密勒指数记为(hkl)[1],立方晶系的晶列指数记为[hkl];以初基原胞基矢为坐标系时,晶面指数记为(h1h2h3),而晶列指数记为[l1l2l3][2].坐标系不同,同...
利用系统平衡时的能量取极小值的条件，讨论了两金属的接触电势差问题，求出了接触电势差与费米能的关系
传统的晶格旋转对称性的双转轴证明方法不满足旋转对称操作至少要保持一点不动的要求．本文提出了晶格旋转对称性的单转轴证明方法，克服了双转轴证明方法的缺点．
(1-x)Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-(x)PbTiO_3二元系铁电陶瓷的... CNKI文献
已有的研究表明,二元系铁电陶瓷(1-x)Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-(x)PbTiO_3在介电、热电、光电方面都有广阔的应用前景.本文研究了该材料的压电特性,发现在准同型相界(x=0.45)附近,压电应变常数d_(33)和机电耦合系数k_...
