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Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变的内耗  CNKI文献

采用脉冲激光沉积法在Si衬底制备了Ge2Sb2Te5合金薄膜,利用双端夹持音频簧振动技术在kHz范围内研究其由相变所引起的内耗谱,并通过电阻率测量加以验证.结果表明:在Ge2Sb2Te5薄膜的非晶相到立方相、立方相到六方相转变...

胡大治 薛若时... 《上海交通大学学报》 2010年05期 期刊

关键词: Ge2Sb2Te5薄膜 / 相变 / 内耗

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胡大治 薛若时... 第九届全国固体内耗与力学谱及其应用学术会议论文集 2009-05-11 中国会议

关键词: Ge2Sb2Te5薄膜 / 相变 / 内耗

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