分析了全密封稠密等离子体焦点(DPF)中子源的特点,采用一维雪耙动力学模型对等离子体的运动进行了计算,设计了相应的电极尺寸和形状,并针对密封性要求,确定了相应的结构和真空处理工艺方法。密封DPF腔体的尺寸为26m...
简要介绍了高功率脉冲变压器,讨论了国内外该领域相关研究现状,总结了高功率脉冲变压器设计中减小上升时间及顶降,展宽输出脉宽,提高耐压性能及能量效率的方法和闭路磁芯的应用。为了使高功率脉冲变压器具有高能量传输...
开展了不同放电条件下气体火花开关单次放电实验,研究发现表面电极材料喷溅程度随着峰值电流和传递电荷量增大而逐渐变大,电极表面形成的烧蚀坑熔融化越明显,凹坑直径越大。分别采用钼和钨作为开关电极材料,研究多次放...
采用Mo,WCu和W分别作为三种气体火花开关的主电极材料,进行放电条件下电极烧蚀实验,研究开关电极烧蚀率和烧蚀形貌,分析电极烧蚀特征。结果表明,Mo,WCu和W开关的主电极烧蚀率分别为3.32×10-2 C-1·m-2,2.63&...
温度及深度对钛中氦泡释放过程影响的分子动力学研究 CNKI文献
利用分子动力学模拟方法对温度及He泡深度给金属Ti内He泡的体积、压强和释放过程等带来的影响进行了研究.首先,通过研究室温下He泡在金属Ti内不同深度处的状态,得到He泡的形状、压强、体积等物理量随其深度的变化规律...
DEPTH PROFILING OF DEUTERIUM IN Al_2O_3 CNKI文献
ＤＥＰＴＨ ＰＲＯＦＩＬＩＮＧ ＯＦ ＤＥＵＴＥＲＩＵＭ ＩＮ Ａｌ_２Ｏ_３￥ＴａｎＸｉａｏｈｕａ（谈效华）；ＬｕｏＳｉｗｅｉ（罗四维）；ＳｏｎｇＺｈｅｍｉｎｇ（宋哲明）（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｐｐ...
谈效华 罗四维... 《Nuclear Science and Techniques》 1995年03期 期刊
关键词： Depth / profiling / Diffusion / coefficient
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针对钼、钨铜合金和钨3种主电极材料的气体火花开关,进行大电流放电实验,研究气体火花开关电性能随放电次数的变化规律。结果表明,随放电次数增多,气体火花开关的击穿电压呈现逐渐下降趋势,下限工作电压逐渐升高;实验...
阐述了潘宁离子源的工作机理,对它的诞生、发展到应用的研究历程进行了回顾,并重点介绍了国内外的发展概况,然后对潘宁源的应用,特别是在测井上的应用进行了介绍,最后讨论了国内研究工作存在的不足,并指出潘宁离子源在...
当间隙间距达到几微米时,其击穿电压将与帕邢曲线显著偏离。文中以间隙间距4μm为典型研究对象,基于网格质点法耦合蒙特卡洛碰撞(PIC-MCC)建立这种微间隙气体放电形成过程的仿真模型,并分析了考虑与不考虑场致电子发射...
对中子检测隐藏爆炸物技术的基本原理作了较详细的介绍,对几种不同的检测方法进行了比较,分析了当前国内外的研究现状,并指出了未来的发展方向。
为了提高变压器的研制效率,方便其工作状态的分析,运用ANSYS软件进行小型Tesla变压器的建模仿真。将仿真计算数据与相应的实验测量结果进行对比分析,验证仿真所得的电感、电容等参数的可靠性,并在仿真计算的基础上,根...
在小型脉冲变压器中,常采用分布式电容分压器实现输出电压的实时监测,但实际的测量波形存在畸变,为此根据变压器电容分压等效电路模型,结合ANSYS软件进行有限元仿真计算,分析了脉冲高电压变压器中分布式电容分压器输出...
综述了目前国内外高性能触发真空开关的研究进展;归纳了触发真空开关的结构研究情况,按触发形式的不同将其分为沿面击穿型和场击穿型,按结构形式不同可将其分为多棒极型、磁延滞型、带辅助阴极型、长间隙型、触发真空...
描述了薄膜镜面因激光辐照产生的波纹现象,对产生机理进行了分析,提出热导波模型。热导波模型比通常的光学模型能更好的解释波纹现象。
基于二维PIC-DSMC耦合算法的真空沿面闪络形成过程的等离子... CNKI文献
真空沿面闪络一直是限制相关高压技术应用的重要问题,因此通过深入认识真空沿面闪络形成过程等离子体演化特性来掌握影响等离子体形成和演变的主要因素,对进一步提高相关器件耐压性能有重要意义。为此基于金属-真空-绝...
归纳了影响开关电极烧蚀量的因素,包括开关电极材料、放电条件等,分析了开关电极烧蚀特征与烧蚀后表面形貌,总结了开关电极烧蚀的主要机制———电极加热和电极材料去除机制。为了延长开关工作寿命,提出了减少开关电极...
基于三探针方法开展了脉冲放电等离子体特性研究,实现了单次脉冲放电等离子体参数的时变特性诊断。采用金属罩屏蔽、示波器锂电池供电等方法降低了电磁信号干扰,利用Labview编制了特定的程序进行三探针诊断数据处理。...
气体火花开关的初始放电过程对研究其工作状态有着非常重要的影响,通过基于网格粒子法-直接蒙特卡罗法(PIC-DSMC)耦合算法模拟了气体火花开关从放电开始到等离子体通道初步形成的完整过程,得到了电子和离子的数密度时...
通过对氧化铝陶瓷中气泡引起局部电场畸变导致绝缘故障进行了研究,建立了存在气泡缺陷氧化铝陶瓷绝缘子静态电场计算的三维数学模型;比较了有无气泡缺陷时氧化铝陶瓷绝缘子的电场强度;重点分析了气泡存在不同电场强度...
中子产额的稳定度是脉冲中子源的一项重要指标。文中介绍了一种评定脉冲中子源产额稳定性的新方法。测试系统由长计数器和一对性能基本相同的积分型探测器组成,中子产额的稳定度直接通过数据处理获得而无需对各探测器...
