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从民族话语建构到阶级话语建构  CNKI文献

梁启超对“史界革命”的积极倡导,推动了新史学思潮的广泛开展。迫于救亡图存的压力,中国知识分子把西方的民族主义视为实现国家自强的有力武器。受西方民族国家观念的影响,他们以建立独立的民族国家为中心目标。为此...

谢自力 导师:周祥森 河南大学 2017-06-01 硕士论文

关键词: 社会认同 / 民族 / 阶级 / 历史书写

下载(172)| 被引(0)

InN材料及其应用  CNKI文献

由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。

谢自力 张荣... 《微纳电子技术》 2004年12期 期刊

关键词: InN / 带隙 / 半导体材料 / 晶格常数

下载(512)| 被引(22)

用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性...  CNKI文献

利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同工艺条件下的高质量AlGaN材料的制备.得到了无裂纹的全组分AlxGa1-xN(0<x<1)薄膜.通过XRD,SEM,AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对材料的结构质量、...

谢自力 张荣... 《物理学报》 2007年11期 期刊

关键词: AlGaN / DBR / 紫外探测器 / MOCVD

下载(329)| 被引(14)

GaN纳米线材料的特性和制备技术  CNKI文献

GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料 ,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中 ,并可用于大功率微波器件 .最近几年 ,由于GaN蓝光二极管的成功研制 ,使GaN成为了化合物半导体领域...

谢自力 张荣... 《纳米技术与精密工程》 2004年03期 期刊

关键词: 半导体 / 氮化镓 / 纳米线 / MOCVD

下载(811)| 被引(11)

“小产权房”的法律问题  CNKI文献

近年来,"小产权房"及相关法律问题在社会上引起了激烈而广泛的讨论。"小产权房"问题不但涉及国家的土地与住房政策,更关乎国家

谢自力 邵海勇 《中国土地》 2010年07期 期刊

关键词: “小产权房” / 集体土地所有权 / 农民集体所有 / 法律问题

下载(412)| 被引(9)

腺样体肥大与胃内容物反流的相关性研究  CNKI文献

目的对儿童腺样体肥大与胃内容物鼻咽部反流的相关性进行研究,揭示胃内容物反流对腺样体肥大发病的重要性,为腺样体肥大的抗酸治疗提供依据。方法选取67例研究对象,其中34例腺样体肥大的患儿作为实验组,33例非腺样体肥...

谢自力 导师:马瑞霞 宁夏医科大学 2019-03-01 硕士论文

关键词: 腺样体肥大 / 胃内容物反流 / 胃蛋白酶 / 咽喉反流症状指数量表

下载(56)| 被引(0)

In_2O_3纳米线制备及其特性  CNKI文献

使用管式加热炉成功地制备出In_2O_3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In_2O_3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In_2O_3;X射线光电子谱分析发现该In_2O_3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的...

谢自力 张荣... 《半导体学报》 2006年03期 期刊

关键词: In_2O_3 / 纳米线 / X射线衍射 / 扫描电子显微镜

下载(324)| 被引(11)

新型钾通道抑制剂的鉴定及其作用机制研究  CNKI文献

钾通道是生物体内种类最多、分布最广的一类离子通道,它在细胞静息膜电位的维持、动作电位的形成、细胞增殖、细胞凋亡等生理和病理活动中都发挥着重要的功能。因此,鉴定新型的钾通道调节剂对于钾通道结构与功能的研究...

谢自力 导师:吴英亮 武汉大学 2017-05-01 博士论文

关键词: 防御素 / HNP1 / HD5 / hBD3

下载(21)| 被引(1)

采用高分辨XRD确定Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结的应变状态  CNKI文献

利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN/GaN薄膜的晶体结构和应变状态.通过(002)和(105)面的倒易空间映射,分析获得AlxGa1-xN外延层的应变程度,并且计算了不同Al组分的AlxGa1-xN在倒易...

谢自力 张荣... 《中国科学(G辑:物理学 力学 天文学)》 2009年11期 期刊

关键词: 高分辨X射线衍射 / 倒易空间图 / 应变 / 弛豫

下载(416)| 被引(2)

PHEMT结构材料及器件  CNKI文献

概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。

谢自力 邱凯... 《微纳电子技术》 2002年02期 期刊

关键词: 微波毫米波 / 分子束外延 / 赝配结构高电子迁移率晶体管 / 异质结

下载(176)| 被引(16)

RHEED优化MBE异质材料生长工艺  CNKI文献

利用高能电子衍射振荡研究MBE异质材料生长工艺。优化了AlGaAs/InGaAs/GaAs材料生长工艺。通过霍耳测量、X射线双晶衍射及二次离子质谱研究了利用该工艺生长的AlGaAs/InGaAs/GaAs双δ掺杂PHEMT结构材料,获得了较好的材...

谢自力 邱凯... 《微纳电子技术》 2003年10期 期刊

关键词: 反射式高能电子衍射 / 分子束外延 / 砷化镓 / 异质结

下载(180)| 被引(5)

LPCVD法在GaN上生长Ge薄膜及其特性(英文)  CNKI文献

本文报道了在GaN/蓝宝石作衬底生长Ge薄膜材料的外延生长及其特性研究。研究了不同外延生长条件。结果表明,使用低压化学气相外延技术在GaN/蓝宝石衬底复合衬底上可以生长Ge薄膜。高分辨X射线衍射谱研究得到了峰位分别...

谢自力 韩平... 《材料科学与工程学报》 2011年05期 期刊

关键词: Ge / GaN / 衬底 / 低压化学气相沉积

下载(98)| 被引(3)

InN薄膜的退火特性  CNKI文献

对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒....

谢自力 张荣... 《半导体学报》 2006年02期 期刊

关键词: InN / 热退火 / X射线衍射 / 扫描电子显微镜

下载(185)| 被引(3)

InN纳米线材料的特性和制备技术  CNKI文献

InN材料具有着巨大的应用潜力,伴随着本身特性的揭秘,已成为最近两年内最热门的研究材料之一.介绍了InN纳米线的基本特性,讨论了InN纳米线材料的制备技术及其应用.利用CVD法研制的GaN纳米线的直径已达到40-80 nm;长...

谢自力 张荣... 《纳米技术与精密工程》 2005年04期 期刊

关键词: InN / 带隙 / 半导体材料 / 纳米线

下载(316)| 被引(2)

Al_xGa_(1-x)N/AlN超晶格材料特性研究  CNKI文献

用MOCVD技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料。研究了AlxGa1-xN/Al N超晶格材料特性。结果表明,缓冲层材料和结构对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的...

谢自力 张荣... 《功能材料》 2008年05期 期刊

关键词: MOCVD / 超晶格 / AlxGa1-xN/AlN

下载(212)| 被引(2)

在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN  CNKI文献

利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN...

谢自力 张荣... 《人工晶体学报》 2005年06期 期刊

关键词: InN / 预淀积In纳米点 / MOCVD

下载(139)| 被引(3)

Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究  CNKI文献

利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第...

谢自力 张荣... 《半导体技术》 2008年S1期 期刊

关键词: 金属有机物化学气相沉积 / 稀磁半导体 / 锰掺杂 / X射线衍射

下载(155)| 被引(2)

Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长  CNKI文献

通过对MBE工艺中影响GaAs和AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了MBE生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构工艺。用GEN-ⅡMBE设备生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构...

谢自力 邱凯... 《微纳电子技术》 2002年08期 期刊

关键词: 分子束外延 / 异质结 / 量子阱 / 调制掺杂

下载(116)| 被引(5)

硅锗基区异质结双极晶体管的研究进展  CNKI文献

叙述了硅锗基区异质结双极晶体管的研究发展现状,分析了该晶体管的结构机理、特点及制造技术,并且阐述了该器件的发展前景。

谢自力 《半导体情报》 1997年04期 期刊

关键词: SiGe/Si应变层 / 异质结 / Si / Ge

下载(134)| 被引(4)

InN薄膜的氧化特性研究  CNKI文献

研究了InN薄膜在不同氧气氛中的氧化特性.研究表明,在400℃以下,InN薄膜很难被氧化,而金属In很容易被氧化.因此富In的InN薄膜的氧化在400℃以下主要是金属In的氧化,在400℃以上为金属In和InN的同时被氧化.在400℃以上...

谢自力 张荣... 《物理学报》 2007年02期 期刊

关键词: InN / 氧化铟 / 氧化 / X射线衍射

下载(175)| 被引(0)

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