综述了纳米硅薄膜及纳米硅薄膜太阳电池的制备方法、结构特性、光电特性等 ,显示出其有重要的应用前景。迄今为止 ,最好的纳米晶硅薄膜太阳电池的光电转换效率已达 8.7%。
赵占霞 崔容强... 《太阳能学报》 2003年01期 期刊
关键词： 太阳电池 / 纳米晶硅薄膜 / RF溅射方法 / RF—PECVD方法
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用射频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在100℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到73%,同时改变薄膜的沉积时间。用Raman、XRD、AFM、SEM及椭偏仪对薄膜的特性进行了测定。XRD的测试结果...
射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性(英文) CNKI文献
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,...
以二氧化锗作为锗源，在水溶液体系中分别以固态和液态电极进行半导体锗薄膜的制备并对其进行分析。XRD和拉曼光谱显示在Cu板上制备的样品均为无定形态的锗，沉积温度和时间对锗薄膜最终形成厚度具有显著影响，同时，...
化学气相沉积法制备大尺寸单晶石墨烯的工艺参数研究 CNKI文献
石墨烯作为一种二维sp2杂化碳的同素异形体,具有优良的电学、光学、热学及力学等性质.产业化应用石墨烯要求其具有大的尺寸且性质均一.化学气相沉积法(CVD)的出现为制备大尺寸、高质量的石墨烯提供了可能.本文结合近几...
半导体硅的传统制备工艺主要有直拉法、区熔法及气相沉积法等,这些制备工艺都需要在高温下进行,且涉及到大型设备,制备成本较高,操作较为复杂。采用低温电沉积法制备硅具有简单可控、低成本的特点,因而受到了研究者青...
Nc-Si Thin Film Deposited at Low Temperature and Nc-Si... CNKI文献
This paper reported some results about intrinsic nanocrystalline silicon thin films deposited by high frequency (HF) sputtering on p-type c-Si substrates at low temperature. Samples were examined by ...
赵占霞 崔容强... 《Journal of Shanghai Jiaotong University》 2004年04期 期刊
关键词： HF / sputtering / low / temperature
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为了提高加速器质谱对粒子的鉴别能力 ,提出了一种新的粒子鉴别方法———ΔE -T抛物线法 ,用36 Cl进行了试验 ,并给出了试验结果
硅业副产物SiCl_4资源化电沉积硅及其性能研究 CNKI文献
以硅业副产物四氯化硅(SiCl_4)为溶解物,离子液体[BMIM]TF2N为溶剂,碳酸丙烯酯(PC)为支持电解质,采用三电极系统,用C-AFM方法研究[BMIM]TF2N与PC的质量比、电解液温度和沉积时间对阴极板生成物电学性质的影响,以及硅薄...
利用射频磁控溅射方法,采用Sc2O3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜。用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3Pa到2.0Pa的变化对SZO薄膜的微...
太阳电池窗口层材料Sc掺杂ZnO薄膜的抗腐蚀性研究 CNKI文献
用于太阳电池窗口层的材料必须具有好的耐蚀性。利用射频磁控溅射的方法分别在300℃、350℃、400℃、450℃的沉积温度下制备透明导电Sc掺杂ZnO薄膜(SZO)。用X射线衍射仪对样品的结构进行表征。结果表明,所有SZO薄膜均...
采用射频磁控溅射方法,分别在0.5Pa,1.0Pa,1.5Pa以及2.0Pa的溅射压强下制备出了Sc:ZnO(SZO)薄膜,并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计等设备对样品的晶体结构、表面形貌及光学性质进行了表征。结果...
本文采用两步湿化学法在玻璃衬底上制备了ZnO纳米线。首先,利用Sol-gel方法在载玻片上制备含有ZnO纳米颗粒的薄膜作为“种子”衬底。然后,利用水热法在“种子”衬底上生长了高度取向的ZnO纳米线。并对“种子”衬底和随...
p-i-n型非晶硅基太阳电池的界面因素及S-W效应问题,一直困扰着光伏科学界:为提高该类太阳电池转换效率和降低光致衰减,这两个方面的研究因此成为薄膜太阳电池的研究热点。为此整个光伏界付出了不懈的努力。本文将从能...
采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究 CNKI文献
以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以...
关键词： 超声雾化喷涂化学气相沉积(USP-CVD) / SnO2∶F / SnO2∶Sb / NH4F
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~(36)Cl同位素测年方法对河北平原第四系深层地下水年龄的研... CNKI文献
1．参数的计算 1．1 ~(36)Cl/Cl 地球长期平衡值 R_(se)的计算 1．1．1 岩石的总中子产生率取决于岩石的化学成分,对于砂层和粘性土层可分别根据(1)和(2) 式来计算：砂层：P=p(0．4764[U]+1．04[U]+0．48[Th])neutron...
董悦安 何明... 第十一届全国核物理大会论文集 2000-10-01 中国会议
关键词： ~(36)Cl/Cl / 地球长期平衡值 / 加速器质谱法 / 地下水年龄
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该文对平带同质结太阳电池内各空间区域对内量子效率的贡献,以及总的内量子效率进行了数值计算和分析,发现太阳电池的表面复合速率和各区域宽度均对内量子效率有重要影响.而对绒面结构太阳电池的内量子效率和物理参数...
射频溅射法制备纳米硅(nc-Si:H)薄膜的研究 CNKI文献
本文主要研究了用射频(RF13.56Hz)溅射法制备的纳米硅(nano-crystalline silicon——nc-Si:H)薄膜的表面物理结构及光电特性,试验中对射频溅射功率、反应气压、溅射时间、气体比例等工艺参数进行了调整,制备出了不同厚...
空间电荷区和晶界复合对多晶太阳电池基区少数载流子寿命的... CNKI文献
该文采用多晶硅太阳电池模型,通过引入空间电荷区复合速度来研究空间电荷区复合对少子寿命的影响,从计算结果中发现当复合速率大于105cm/s时,空间电荷区的复合影响不可忽略,必须对所测得的寿命值进行修正。
纳米薄膜是具有纳米微结构的薄膜材料,具有卓越的光敏性和电子学特性,在量子器件及光电器件方面,有很好的应用前景,因而激发了人们的研究兴趣。纳米硅薄膜已经由多种方法成功地制得,如RF溅射方法和RF-PECVD方法。我们...
