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高电流密度金刚石肖特基势垒二极管研究  CNKI文献

报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p~+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p~-金刚石漂移层,并通过在样品背面...

郁鑫鑫 周建军... 《固体电子学研究与进展》 2019年02期 期刊

关键词: 金刚石 / 肖特基二极管 / 高电流密度

下载(307)| 被引(1)

金刚石微波功率场效应晶体管  CNKI文献

金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性,在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值...

郁鑫鑫 周建军... 《固体电子学研究与进展》 2017年06期 期刊

关键词: 功率场效应晶体管 / 金刚石 / 微波功率器件

下载(271)| 被引(1)

氮掺杂对氢终端金刚石射频器件特性的影响  CNKI文献

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过改变气源中的氮含量,得到不同结晶质量的单晶金刚石,通过激光切割以及抛光控制样品尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm,然后对样品进行表面氢化处理并研制了金刚石射频器...

刘晓晨 郁鑫鑫... 《人工晶体学报》 2021年11期 期刊

关键词: 氮含量 / 微波等离子体化学气相沉积 / 晶体质量 / 氢终端金刚石

下载(140)| 被引(0)

基于金刚石钝化散热的栅区微纳尺度刻蚀研究  CNKI文献

片内热积累效应严重制约GaN器件向高功率密度应用发展,金刚石钝化散热结构的GaN器件热管控技术已成为目前研究重点,而金刚石栅区高精度刻蚀和控制是实现该热管理技术应用的关键工艺难点。因此,本文采用电感耦合等离...

李义壮 郭怀新... 《电子元件与材料》 2022年03期 期刊

关键词: 金刚石薄膜 / ICP刻蚀 / O_2/Ar/CF_4 / 刻蚀速率

下载(100)| 被引(0)

碳基射频电子器件研究进展  CNKI文献

以三维体材料金刚石、二维材料石墨烯和准一维材料碳纳米管为代表的碳基电子材料,分别拥有超宽禁带、超高载流子迁移率、优异的导热性能和机械特性,以及独特的低维结构带来的各种量子效应,在射频大功率、高线性、太赫...

孔月婵 杨扬... 《固体电子学研究与进展》 2020年02期 期刊

关键词: 碳材料 / 射频 / 电子器件

下载(501)| 被引(2)

Enhanced interface properties of diamond MOSFETs with ...  CNKI文献

The interface state of hydrogen-terminated(C–H) diamond metal–oxide–semiconductor field-effect transistor(MOSFET) is critical for device performance. In this paper, we investigate the fixed charge...

付裕 徐锐敏... 《Chinese Physics B》 2021年05期 期刊

关键词: diamond / MOSFET / ALD / temperature

下载(40)| 被引(1)

GaN HFET中的实时能带和电流崩塌  CNKI文献

从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的...

薛舫时 杨乃彬... 《固体电子学研究与进展》 2019年05期 期刊

关键词: 实时能带 / 非稳态能带 / 电流崩塌 / 能带峰耗尽

下载(99)| 被引(3)

琥珀酸在免疫代谢中的研究进展  CNKI文献

琥珀酸是TCA中的中间代谢产物,在线粒体生成ATP的过程中起关键作用。最近研究发现,琥珀酸亦可作为炎症中的一种物质代谢信号,促进炎症,并可在癌症免疫周期中发挥重要作用。本文将针对琥珀酸在炎症中的信号调节机制进行...

陈蓉 曹玉敏... 《临床医药文献电子杂志》 2018年42期 期刊

关键词: 琥珀酸 / 免疫代谢 / 缺氧诱导因子-1α / 琥珀酸受体1

下载(596)| 被引(5)

GaN HFET中的实时能带和电流崩塌(续)  CNKI文献

从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的...

薛舫时 杨乃彬... 《固体电子学研究与进展》 2019年06期 期刊

关键词: 实时能带 / 非稳态能带 / 电流崩塌 / 能带峰耗尽

下载(89)| 被引(0)

InAlGaN超薄势垒层结构高频GaN HEMT器件  CNKI文献

提出了一种基于SiC衬底的高性能InAlGaN/AlN/GaN HEMT器件。采用电子束技术实现栅长为80nm的高深宽比(栅脚高度与栅长的比值)T型栅结构。测试结果表明,超薄势垒层结构对于器件短沟道效应具有较好的抑制作用,在Ids=1mA...

朱广润 孔月婵... 《固体电子学研究与进展》 2017年05期 期刊

关键词: InAlGaN / GaN / 高频 / 高电子迁移率晶体管

下载(176)| 被引(3)

SOI基级联双微环滤波器研究  CNKI文献

研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能。采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238nm,1 550nm波长附近的...

顾晓文 牛斌... 《光电子技术》 2017年02期 期刊

关键词: 绝缘衬底上硅 / 微环谐振器 / 光栅耦合 / 可调谐

下载(144)| 被引(1)

Characterize and optimize the four-wave mixing in dual...  CNKI文献

By designing and fabricating a series of dual-interferometer coupled silicon microrings, the coupling condition of the pump, signal, and idler beams can be engineered independently and then we carrie...

吴超 刘英文... 《Chinese Physics B》 2019年10期 期刊

关键词: silicon / resonators / four-wave / mixing

下载(20)| 被引(1)

Influence of fin architectures on linearity characteri...  CNKI文献

We investigate the influence of fin architecture on linearity characteristics of AlGaN/GaNFinFET.It is found that the Fin FET with scaled fin dimensions exhibits much flatter G_m characteristics than...

刘婷婷 张凯... 《Chinese Physics B》 2018年04期 期刊

关键词: AlGaN/GaNFinFETs / output / power / density

下载(27)| 被引(0)

Si基GaN材料寄生导电层的研究  CNKI文献

通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电...

倪金玉 李忠辉... 《固体电子学研究与进展》 2013年04期 期刊

关键词: 硅基氮化镓 / 寄生导电层 / 氮化镓高电子迁移率晶体管

下载(116)| 被引(1)

High-performance enhancement-mode AlGaN/GaN MOS-HEMTs ...  CNKI文献

We present high-performance enhancement-mode AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor highelectron mobility transistors(MOS-HEMTs) by a fluorinated gate dielectric technique.A nanolaminate of an Al_2O_3/L...

高涛 徐锐敏... 《Journal of Semiconductors》 2016年06期 期刊

关键词: AlGaN/GaN / enhancement-mode(E-mode) / stack / gate

下载(44)| 被引(0)

Structure and Strain Properties of GaN Films Grown on ...  CNKI文献

GaN films with an Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N superlattice(SL) buffer layer are grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD).The structure and strain properties of th...

潘磊 倪金玉... 《Chinese Physics Letters》 2015年05期 期刊

关键词: Structure / and / Strain / Properties

下载(18)| 被引(0)

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