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GaN基蓝光器件的研究进展  CNKI文献

本文对近几年GaN基蓝光器件,包括GaN基发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的发展历程进行了全面介绍和评价。指出GaN基蓝光LED的研究开卡拉卡将在1~2年内走向成熟,从而实现大规模商业化生产,而GaN基蓝光LD也将在...

郑有炓 沈波... 《光电子技术》 1996年04期 期刊

关键词: 氮化镓(GaN) / 发光二极管(LED) / 激光二极管(LD)

下载(221)| 被引(5)

文化古城与绿色高科技——郑有炓院士访谈录  CNKI文献

文化古城的经济发展需要将科技发展、绿色发展与城市个性协调起来。本刊就科技进步、城市定位、发展平台、城市软实力与文化古城发展关系等问题采访了郑有炓院士。

郑有炓 《中国名城》 2009年06期 期刊

关键词: 城市发展 / 绿色科技 / 城市竞争力

下载(50)| 被引(0)

MOS结构的软X射线辐射损伤  CNKI文献

本文报道了MOS结构受软X射线辐照的辐射损伤的研究结果.指出,软X射线辐照将引起了 SiO_2层中正电荷及SiO_2-Si界面界面态密度的增加,而且在SiO_2体内形成电子陷阱和中性陷阱.文中还报道了辐射损伤的退火结果.

郑有炓 吴凤美 《半导体学报》 1982年01期 期刊

关键词: 界面态密度 / 正电荷 / 电子陷阱 / MOS

下载(28)| 被引(4)

Si(1-x)Ge_x/Si应变层超晶格生长研究  CNKI文献

本文发展了一种用于生长Si_(1-x)Ge_x/Si应变层超晶格的“快速辐射加热超低压化学气相淀积”方法,以 SiH_4,GeH_4作为反应源,成功地生长出优质的Si_(1-x)Ge_x/Si应变层异质结构,量子阱和超晶格。文中讨论了快速辐射加...

郑有炓 《物理学进展》 1993年Z1期 期刊

关键词: 应变层超晶格 / 微结构材料 / 量子阱 / x)Ge_x/Si

下载(54)| 被引(0)

SiO_2-InP MIS结构的界面态和体深能级的研究  CNKI文献

本文用恒定电容深能级瞬态谱(CC—DLTS)方法研究了SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级。结果表明在价带顶附近界面态密度最高,可达9×10~(12)ev~(-1)·cm~(-2_以上,随着离开E_V指向E_i迅速降低。在E_V+0.4...

郑有炓 宋正荣... 《南京大学学报(自然科学版)》 1986年04期 期刊

关键词: 恒定电容深能级瞬态谱 / MIS结构 / 界面态 / 体深能级

下载(48)| 被引(1)

MOS结构热激电流谱的测量与分析  CNKI文献

本文用热激电流法测量了MOS结构在77K~600K温度范围的热激电流谱。热激流谱从低温到高温给出了SiO_2-Si界面的界面态、Si表面体深能级、SiO_2中的可动离子——H~+、Na~+、K~+等的电流峰、由谱线计算了界面态分布曲线...

郑有炓 江若琏 《半导体技术》 1982年05期 期刊

关键词: 热激电流谱 / 可动离子 / 硅表面 / 离子电流

下载(37)| 被引(1)

PECVD SiO_2-InP MIS结构研究  CNKI文献

本文报导用正硅酸乙酯等离子增强化学汽相淀积(PECVD)技术在InP上淀积SiO_2膜的方法,用C—V,DLTS,AES,XPS等手段测量分析了PECVD SiO_2-InP MIS结构的电学性质和界面化学结构,研究了淀积前InP表面的不同处理对界面特性...

郑有炓 江若琏... 《固体电子学研究与进展》 1987年03期 期刊

关键词: InP / XPS / 电学性质 / 界面层

下载(37)| 被引(0)

Si/Ge异质结构的生长与特性  CNKI文献

近年来,由Ge,Si这两种晶格失配(4.2%)材料组成的Ge/Si异质结构与Ge/Si应变超晶格,由于共具有重要的科学与技术价值,受到了人们高度重视。分子束外延(MBE)技术已成功地用于生长Ge/Si异质结构和超薄Ge/Si超晶格以及Gex...

郑有炓 张荣... 《固体电子学研究与进展》 1989年04期 期刊

关键词: 异质结构 / Si/Ge / 外延层

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Ga_(0.47)In_(0.53)As-InP异质结界面二维电子气  CNKI文献

本文报道了氯化物汽相外延生长Ga_(0.47)In_(0.53)As-InP异质结输运性质研究结果.4.2K下shubnikov-de Haas测量,Van de Pauw Hall测量和迴旋共振测量表明这种异质结界面存在高电子迁移率二维电子气.二维电子气浓度为1...

郑有炓 黄善祥... 《半导体学报》 1987年05期 期刊

关键词: 二维电子气 / 电子迁移率 / As-InP / 异质结界面

下载(27)| 被引(0)

用稳态光电导和场效应的联合测量研究Ge的快表面态  CNKI文献

文中介绍了用稳态光电导和场效应的联合测量以研究Ge的快表面态的实验方法。用这方法可以得到表面复合速度和表面态陷阱电荷密度与表面势的依赖关系,从而可以确定出快表面态的特征参量(能极位置,能级密度及对空穴和电...

郑有炓 孙勤生... 《南京大学学报(自然科学版)》 1963年06期 期刊

关键词: 硫化处理 / 场效应 / 光电导 / 测量研究

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软X射线辐照引入于SiO_2中的中性陷阱  CNKI文献

本文用雪崩热电子注入技术与MOS C-V技术,研究了软X射线辐照引入于SiO_2中的中性陷阱的性质.给出陷阱俘获截面σ为10~(-15)~10~(-16)cm~2,有效陷阱密度为10~(11)~10~(12)cm~(-2).发现陷阱密度随辐照时间的增加而升高...

郑有炓 吴凤美 《固体电子学研究与进展》 1982年04期 期刊

关键词: 雪崩注入 / 射线辐照 / MOS / 平带电压

下载(19)| 被引(0)

SiO_2-Si界面射频等离子体退火性质研究  CNKI文献

众所周知,SiO_2-Si结构中界面态和固定界面电荷以及SiO_2中的陷阱电荷,强烈影响硅平面型器件的性能及其稳定性.因此用退火来降低这些电荷中心是非常重要的.我们用氧气氛低压辉光放电产生的射频等离子体对SiO_2-Si界面...

郑有炓 吴凤美... 《半导体学报》 1980年02期 期刊

关键词: 等离子体退火 / 界面态 / 陷阱电荷 / 性质研究

下载(31)| 被引(1)

Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展  CNKI文献

本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛...

孔月婵 郑有炓 《物理学进展》 2006年02期 期刊

关键词: Ⅲ族氮化物异质结构 / 二维电子气 / 综述 / 自发极化

下载(883)| 被引(32)

AlGaN/GaN异质结构中极化与势垒层掺杂对二维电子气的影响  CNKI文献

从Ⅲ族氮化物中压电极化对应变弛豫度的依赖关系出发 ,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程 ,分别研究了自发极化、压电极化和AlGaN势垒层掺杂对AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气的浓度、分布、面密度以及子带分布等性...

孔月婵 郑有炓... 《物理学报》 2004年07期 期刊

关键词: AlxGa1-xNGaN异质结构 / 二维电子气 / 自发极化 / 压电极化

下载(810)| 被引(25)

Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响  CNKI文献

通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程 ,研究了Al组分对AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气性质的影响 ,给出了AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气分布和面密度 ,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa1 -x...

孔月婵 郑有炓... 《物理学报》 2003年07期 期刊

关键词: AlxGa1-xNGaN异质结构 / 二维电子气 / 自发极化 / 压电极化

下载(447)| 被引(33)

GaN材料p型掺杂  CNKI文献

近几年来 ,Ga N材料生长和器件制备都获得了巨大进展。 Ga N基蓝光 L ED和 L D相继研制成功并进入市场 ,更加推动了 Ga N材料的发展。目前 Ga N器件发展主要的障碍在于背景载流子 (电子 )浓度太高 ,p型掺杂水平低。背...

谢世勇 郑有炓... 《固体电子学研究与进展》 2001年02期 期刊

关键词: 背景载流子浓度 / 形成能 / 补偿 / 激活

下载(408)| 被引(10)

氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光  CNKI文献

利用低压 MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长了 Ga N,用离子注入法掺入 Mg杂质 ,退火后 ,进行光致发光测量 ,观察到显著的蓝光发射和黄带发射 .光谱分析给出了与注入 Mg离子相关的 Ga N禁带中能级的精细结构 ,其中 :间位 M...

谢世勇 郑有炓... 《半导体学报》 2002年02期 期刊

关键词: 氮化镓 / 掺杂 / 离子注入 / 光致发光

下载(308)| 被引(8)

AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究  CNKI文献

利用Al_AlN_Si(111)MIS结构电容_频率谱研究了金属有机化学气相沉积法生长的Si基AlN的AlN_Si异质结构中的电荷陷阱态 .揭示了AlN_Si异质结构界面电荷陷阱态以及AlN层中的分立陷阱中心 .结果指出 :AlN层中存在Et-Ev=2 ...

周春红 郑有炓... 《物理学报》 2004年11期 期刊

关键词: 界面陷阱态 / AlN-Si / 电容-频率谱

下载(168)| 被引(6)

电动汽车电池管理系统研究进展  CNKI文献

电池动力汽车作为新型环保型汽车受到了广泛关注。电池管理系统作为电动汽车稳定高效运行的保障,对电动汽车的发展起着关键作用。简单介绍了电动汽车发展研究成果,基于现阶段电池管理系统的发展成果,给出了一种电池管...

唐溪浩 马骁... 《电源技术》 2018年02期 期刊

关键词: 电池管理系统 / 荷电状态 / 热管理 / 均衡管理

下载(1013)| 被引(36)

高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器  CNKI文献

以碳化硅(SiC)和Ⅲ族氮化物为代表的宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料,具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点,用于工作于紫外波段的光探测器件具有...

陆海 陈敦军... 《南京大学学报(自然科学)》 2014年03期 期刊

关键词: 宽禁带 / Ⅲ族氮化物 / 碳化硅 / 紫外探测器

下载(1007)| 被引(21)

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