银行投放绿色信贷的动因分析——基于资产质量和成本收益的... CNKI文献
本文利用商业银行2007—2019年的经营数据，从绿色信贷对银行资产质量和成本收益作用效果角度，实证考察有关商业银行投放绿色信贷的动机假设，研究表明，从资产质量方面来看，绿色信贷的投放能够有效抑制不良贷款率，...
今年是改革开放40周年,我们不断在找寻合理有效的可持续发展道路,如今走过工业化的中国,我们的目标应该放未来而不是眼前的既得利益上,而不是走前苏联单一生产模式的老路,最终为我们带来的一定是毁灭性的打击。
SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路因其隔离性能好、漏电流小、速度快、功耗低和抗辐照等优点已成为功率集成电路(Power Integrated Circuit,PIC)重要的发展方向。SOI横向高压器件是SOI高压集成电路的核心和关键...
SOI横向功率器件是SOI功率集成电路的核心元件。文中对近年来SOI横向功率器件的横向耐压技术进行了归类和综述,讨论了RESURF技术、场板技术、U形漂移区技术、横向超级结技术和漂移区电荷密度线性化技术等5种常见技术及...
阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型 CNKI文献
提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷 (SBOC) SOI新型高压器件 ,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型 ,对阶梯数 n从 0到∞时的器件击穿特性进行了研究 .结果表明 ,该结构突破常规 SOI结构纵向耐压极限 ,使埋...
绿色营销既环境营销,亦被称为生态营销,它是一个新生物,顺应时代的准公共物品,具有可持续发展的特性。
随着互联网的全球化发展趋势,跨语言信息检索日益成为信息检索领域中的重要课题,跨语言检索可用一种提问语言检索出用另一种语言书写的信息。文章主要对跨语言信息检索理论应用研究进行了探讨,并对其在专业领域数据库...
本文综合运用材料学、统计物理学、数学等相关学科知识，建立一个微观上能够能同时反映再取向马氏体相变和应力诱发马氏体相变特征的，宏观上能够描述多晶形状记忆合金各种类型的应力-应变滞后行为和内滞后行为，并且...
提出了一种耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种高压器件结构——变厚度漂移区SOI横向高压器件,借助二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。结果表明,变厚度漂移区结构不但可以使横向击穿...
提出了SOI基双级RESURF二维解析模型.基于二维Poisson方程,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI的双级和单级RESURF条件统一判据,得到RESURF浓度优化区(DOR,dopingoptimalregion),研究表明该判据和DOR还可用...
均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI RESURF器件的统一击穿模型... CNKI文献
提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型 .基于分区求解二维Poisson方程 ,得到了不同漂移区杂质分布的横向电场和击穿电压的统一解析表达式 .借此模型并对阶梯数从 0到无穷时器件结构参数对临...
提出一种基于SDB技术的非平面埋氧层SOI材料制备方法.其关键技术包括:通过干法刻蚀、高压氧化和淀积二氧化硅获得高质量非平面埋氧层;通过化学气相淀积多晶硅来形成键合缓冲层,并运用回刻光刻胶和化学机械抛光来实现键...
为提高红河复烤梗提升机的运行稳定性,降低人力维修的劳动强度和成本,本文对红河复烤梗提升机的设备现状、交班统计以及故障等进行了调查分析。经过充分研究,笔者确定了优化结构的方向,对炸裂的耙钉进行修复并设计新的...
在建筑施工领域,为保证施工安全,离不开脚手架。而传统的扣件式和碗扣式钢管脚手架不但存在质量问题,而且也满足不了复杂建筑工程的需要,需更新为一种盘销式钢管脚手架。此文在阐述盘销式钢管脚手架的种类和结构的基础...
郭宇锋 王春 《铁路工程技术与经济》 2017年05期 期刊
界面电荷耐压模型:SOI高压器件纵向耐压新理论 CNKI文献
基于求解二维Po isson方程,分析了具有埋氧层界面电荷的SO I结构纵向击穿特性,提出了界面电荷耐压模型。该模型通过埋氧层界面电荷来调制硅层和埋氧层电场,获得极高击穿电压。进一步提出临界界面电荷面密度概念,给出其...
在纳米尺度,许多物质和材料都具有非常奇特的物理、化学、力学性能和规律,而根据这些特性制成的各类纳米器件和结构拥有非常广阔的应用前景。本文使用以量子力学为基础的密度泛函理论、Hartree-Fork从头算理论以及半经...
基于分区求解二维泊松方程,提出了阶梯掺杂漂移区SOI高压器件的浓度分布优化模型。借助此模型,对阶梯数从0到无穷时SOIRESURF结构的临界电场和击穿电压进行了研究。结果表明,对于所研究的结构,一阶或二阶掺杂可以在不...
埋氧层固定界面电荷对RESURF SOI功率器件击穿特性的影响 CNKI文献
通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程,建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURFSOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模型。解析结果与半导体器件模拟器MEDICI数值分析结果相吻合。在此基础上,分别研究了Qf对...
基于二维泊松方程的解,建立了漂移区全耗尽和不全耗尽情况下任意纵向掺杂的横向功率器件二维电场分布模型,进而导出了纵向和横向击穿电压表达式,得到了一个新的RESURF判据。借助此模型,研究了漂移区纵向杂质分布分别为...
A three-dimensional breakdown model of SOI lateral pow... CNKI文献
This paper presents an analytical three-dimensional breakdown model of SOI lateral power devices with a circular layout.The Poisson equation is solved in cylindrical coordinates to obtain the radial ...
郭宇锋 王志功... 《半导体学报》 2009年11期 期刊
关键词： SOI / three / dimensional / breakdown
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