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MINP太阳电池及其表面复合的分析  CNKI文献

本文讨论了MINP太阳电池表面对光生载流子复合的影响,得出无栅区表面势与掺杂浓度和氮化硅中固定正电荷的关系,并分析了无栅区和电极区表面势对复合的影响。该电池在不增加复杂工艺的基础上可提高转换效率,目前我们用...

郭里辉 朱长纯... 《太阳能学报》 1986年04期 期刊

关键词: 太阳电池 / 光生载流子 / 氮化硅 / 开路电压

下载(83)| 被引(2)

MIS/IL硅太阳电池耐紫外辐射性能的研究  CNKI文献

通过比较蒸发铯和浸渍铯在MIS/IL硅太阳电池中所引入的铯量、固定正电荷量、界面态密度和对太阳电池表面面电阻的影响,以及测量上述诸量和太阳电池的主要参数经紫外辐照后的变化,并从表面能带的角度分析了引入...

郭里辉 张怡彬 《太阳能学报》 1994年02期 期刊

关键词: MIS/IL硅太阳电池 / 紫外辐照 / / 表面面电阻

下载(78)| 被引(1)

一种提高透射式GaAs光电阴极响应速度的方案  CNKI文献

本文提出了一种可提高透射式GaAs光电阴极响应速度的阴极结构方案,并对这种结构的透射式GaAs光电阴极在电场作用下的响应时间进行了理论计算。计算结果表明,这种结构可便透射式GaAs光电阴极的响应时间由1ns左右减少到...

郭里辉 《高速摄影与光子学》 1990年01期 期刊

关键词: 透射式GaAs光电阴极 / 响应时间

下载(17)| 被引(2)

透射式GaAs光电阴极抗光反射膜的研究  CNKI文献

本文计算了在透射式GaAs光电阴极的窗玻璃和GaAlAs缓冲层之间引入Si_3N_4或SiO_2膜使光电阴极的入射光反射率所产生的变化,并测量了Si_3N_4膜、SiO_2膜和SiO_2/Si_3N_4复合膜对阴极反射率的影响。理论计算和测量表明,...

郭里辉 赛小锋... 《高速摄影与光子学》 1991年02期 期刊

关键词: 透射式GaAs光电阴极 / Si_3N_4 / 抗光反射膜 / 反射率

下载(26)| 被引(1)

透射式GaAs光电阴极响应时间的理论分析  CNKI文献

本文以光生电子处于非稳态的观点,分析了透射式GaAs光电阴极的响应时间,从理论上解释了C.C.Phillips等人的测量结果。指出透射式GaAs光电阴极是一种可用于时间响应为皮秒量级的良好光电阴极。

郭里辉 侯洵 《电子学报》 1989年05期 期刊

关键词: 光电阴极 / 理论计算 / 时间响应 / 非稳态

下载(33)| 被引(2)

染料敏化太阳电池中敏化剂光吸收性能的探讨  CNKI文献

对染料放化太阳电池中敏化剂( 有机络合物)的已有光吸收实验结果进行了分析,并根据分子轨道的基本理论,提出通过改变 有机络合物配位体取代基的方法,增强其吸收光谱红移,达到提高光吸收能力的目的。

马俊 郭里辉 《太阳能学报》 1995年03期 期刊

关键词: 太阳电池 / 增感染料 / 光吸收

下载(214)| 被引(7)

场助InP/InGaAsP半导体光电阴极量子效率的理论计算  CNKI文献

本文对决定场助InP/InGaAsP半导体光电阴极量子效率的诸因素进行了详细分析。基于电流连续性方程和量子力学的隧道效应,对阴极吸收层中的电子传输、发射层中的电子转移以及表面电子逸出几率等过程进行了定量计算,得到...

李晋闽 郭里辉... 《物理学报》 1992年10期 期刊

关键词: 量子效率 / InP/InGaAsP / InGaAsP / 理论计算

下载(74)| 被引(6)

场助InP/InGaAsP/InP半导体光电阴极异质结能带的计算  CNKI文献

采用双曲型的渐变函数,同时考虑加偏压时引起的阴极表面空间电荷区的变化,对场助InP/TnGaAsP/InP半导体光电阴极异质结的能带结构进行了详细的分析和计算,得到了在不同材料参数时,异质结能带结构的分布曲线.计算结果指...

李晋闽 郭里辉... 《光学学报》 1992年09期 期刊

关键词: InP/InGaAsP/InP异质结 / 场助半导体光电阴极 / 渐变函数

下载(88)| 被引(3)

场助InGaAsP/InP异质结半导体光电阴极的研究  CNKI文献

本文通过对InGaAsP/InP场助异质结半导体光电阴极的材料生长、场助肖特基结的制备及阴极激活等工艺的系统研究,研制出具有较高光谱响应的半导体光电阴极,生长出优于文献报道的晶格失配率标准的材料,得到相当80年代国际...

李晋闽 郭里辉... 《光学学报》 1992年06期 期刊

关键词: 场助阴极 / InGaAaP/InP异质结构

下载(56)| 被引(4)

MIS反型层太阳电池栅电极间距的研究  CNKI文献

根据计算得出的MIS/ILP-Si太阳电池的表面面电阻与固定正电荷、界面态间的关系,分析了太阳电池电极栅间距的尺寸范围,并实测了该电池的固定正电荷密度、界面态密度和表面面电阻及电极栅间距对其性能的影响...

张怡彬 郭里辉... 《太阳能学报》 1995年01期 期刊

关键词: MIS/ILP-Si太阳电池 / 表面面电阻 / 电极栅间距

下载(106)| 被引(0)

红外InGaAsP光电阴极研究  CNKI文献

本文主要对阈值波长可达1.25μm的InGaAsP光电阴极进行了详细的研究。在国内首次实现了在0.5μm~1.25μm波段范围内具有光电响应的半导体光电阴极。用Cs和O_2激活后得到的光电阴极在1.06μm处的反射式光电灵敏度为3....

李晋闽 郭里辉... 《高速摄影与光子学》 1991年03期 期刊

关键词: 光电阴极 / 半导体 / 激活 / 量子效率

下载(31)| 被引(3)

1.3μm场助TE光阴极In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP的能带计算...  CNKI文献

本文首先简述了1.3μm场助TE光阴极InP(衬底)/In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(光吸收层)/InP(发射层)/Ag/CsO的工作原理,并对其能带结构进行了计算,得到了In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(光吸收层)/InP(发射层)的势垒高度、掺杂、...

王存让 郭里辉... 《光子学报》 1992年01期 期刊

关键词: 场助光阴极 / 异质结 / 能带计算

下载(25)| 被引(2)

钨硅/砷化镓肖特基接触的热稳定性分析  CNKI文献

研究了以WSi0.6复合材料作为靶源,采用直流磁控溅射工艺成膜,不同退火温度下GaAs衬底材料上WSi0.6膜层的特性。包括WSi0.6/GaAs系统断面SEM分析,AES界面机构分析、表面形貌分析及...

孙铁囤 郭里辉 《微电子学》 1997年02期 期刊

关键词: GaAs / MESFET / WSi膜 / 肖特基接触

下载(48)| 被引(0)

Ag与p-InP的肖特基势垒特性  CNKI文献

木文对Ag与p-InP所形成的肖特基势垒进行了研究.通过在不同的表面热清洁温度下,对p-InP表面进行的AES分析,得到其表面清洁的最佳条件为480℃,20分钟.在超高真空系统内(真空度为2.66 × 10~(-7)Pa),根据热清洁条件...

李晋闽 郭里辉... 《半导体学报》 1992年10期 期刊

关键词: 肖特基势垒高度 / 理想因子 / 肖特基势垒 / p-InP

下载(32)| 被引(0)

场助InP/InGaAsP/InP半导体光电阴极时间响应的计算  CNKI文献

一、引言 场助Ⅲ—Ⅴ族多元化合物半导体光电阴极与GaAs NEA(Negative electron affinity)光电阴极相比,具有可延伸光电探测的长波阈值、提高红外波段光谱灵敏度等优点,因此在光纤通信、微光夜视以及高速摄影等方面具...

李晋闽 郭里辉... 《科学通报》 1992年07期 期刊

关键词: 半导体光电阴极 / 异质结 / 时间响应

下载(43)| 被引(0)

CALCULATION OF TEMPORAL RESPONSE FOR FIELD-ASSISTED In...  CNKI文献

Ⅰ. INTRODUCTION The field-assisted Ⅲ-Ⅴ semiconductor photocathodes as compared with the GaAs NEA (NEA-Negative Electron Affinity)photocathodes have the advantages of extensible long-wavelength thr...

李晋闽 郭里辉... 《Chinese Science Bulletin》 1992年24期 期刊

关键词: semiconductor / photocathode / heterojunction / temporal

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1.25μm InGaAsP光电阴极的研究  CNKI文献

使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极的光电成像器件在光纤通讯、医学、夜视以及其它科研领域有着广泛的用途。其核心部件是二元、三元或四元化合物半导体材料光电阴极。国外在对阈波长为0.9μm的GaAs负电

李晋闽 郭里辉... 《量子电子学》 1991年01期 期刊

关键词: 光电阴极 / m / InGaAsP / 量子效率

下载(20)| 被引(0)

Effect of the back surface topography on the efficienc...  CNKI文献

Different processes are used on the back surface of silicon wafers to form cells falling into three groups:textured, planar, and sawed-off pyramid back surface.The characteristic parameters of the ce...

郭爱娟 叶发敏... 《半导体学报》 2009年07期 期刊

关键词: planar / back / surface / aluminum-silicon

下载(52)| 被引(4)

新能源产业发展的潜力在哪里  CNKI文献

"开场白:2009年是中华人民共和国成立60周年,也是我国经济发展的关键之年。随着我国改革开放进程的不断深入,国民经济有了突飞猛进的发展,但随之而来的传统能源与环境污染之间的矛盾却日益突出,对新能源与可再生...

陆一 石定寰... 《中国质量技术监督》 2009年09期 期刊

关键词: 新能源与可再生能源 / 光伏产业 / 上网电价 / 光伏发电系统

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1.25μm InGaAsP光电阴极的研究  CNKI文献

使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极的光电成像器件在光纤通讯、医学、夜视以及其它科研领域有着广泛的用途。其核心部件是二元、三元或四元化合物半导体材料光电阴极。国外在对阈波长为0.9μm的GaAs负电

李晋闽 郭里辉... 第四届全国光电技术与系统学术会议论文集 1991-05-13 中国会议

关键词: 光电阴极 / m / InGaAsP / 外延片

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