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1700V高压IGBT结终端保护技术仿真分析与工艺实现  CNKI文献

近年来,电力电子技术飞速发展。然而,每一项新技术的出现和新装置的诞生都是以一代新器件的问世为契机。因此,电力电子器件是电力电子技术的基础和使其发展的强大动力。现代高压功率半导体器件IGBT(绝缘栅双极晶体管)...

陆界江 导师:关艳霞 沈阳工业大学 2009-02-16 硕士论文

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沟槽栅场终止型IGBT器件形貌结构的开发  CNKI文献

近年来随着IGBT器件技术的快速发展,采用沟槽栅和场终止(FS)的器件结构成为新一代技术的亮点。本文提出了一种新型的沟槽栅制造方法和一种超薄硅片加工方法,并对器件的终端结构进行了讨论;也探讨了在沟槽栅FS-IGBT器件...

饶祖刚 王锐... 第二十五届中国(天津)2011’IT、网络、信息技术、电子、仪... 2011-09-01 中国会议

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高压功率器件结终端结构设计  CNKI文献

本文主要通过对场板和场限环终端结构的理论分析,介绍器件终端结构击穿电压随环间距、环宽度、场板长度等参数的变化规律。利用二维器件模拟软件Medici模拟具有1700V高压阻断能力的器件,通过对器件表面和内部电场以及...

陆界江 张景超... 2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会论文摘要... 2008-11-01 中国会议

关键词: 击穿电压 / 场限环 / 场板 / 终端结构

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