作  者

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
引用
筛选:
文献类型 文献类型
学科分类 学科分类
发表年度 发表年度
作者 作者
机构 机构
基金 基金
研究层次 研究层次
排序:
显示:
CNKI为你找到相关结果

模拟电路的单粒子瞬时效应  CNKI文献

综合介绍一种新的单粒子作用现象。模拟电路在单个重离子撞击下,在输出端产生瞬时信号,这种瞬时扰动可能影响到连接模拟电路输出端的电路,例如运算放大器的输出可能连接到数字计数器的输入端,由重离子引起放大器足够大...

陈盘训 周开明 《核技术》 2006年03期 期刊

关键词: 模拟电路 / 单粒子瞬时 / 脉冲激光 / 线性能量转移

下载(182)| 被引(16)

双极线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤  CNKI文献

综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产生的异常损伤,即在低剂量率下辐射时,这些器件在很低的总剂量水平下即告失效,失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极-基极结上覆盖了厚...

陈盘训 《核电子学与探测技术》 1999年05期 期刊

关键词: 线性集成电路 / 低剂量率 / 辐射 / 增强损伤

下载(105)| 被引(14)

X射线剂量增强效应  CNKI文献

简述了X射线辐射对材料产生剂量增强效应的物理过程,着重介绍了X射线剂量增强对电子器件的影响.这种剂量增强使X射线辐射引起的损伤比能量较高的γ射线要严重得多.

陈盘训 周开明 《物理》 1997年12期 期刊

关键词: X射线 / 剂量增强 / 辐射损伤

下载(85)| 被引(10)

CMOS 电路 X 射线辐射剂量增强效应  CNKI文献

研究了CMOS电路在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应,测量了相对剂量增强系数。对不同工艺CMOS电路的剂量增强系数进行了比较,并对高原子序数材料的X射线剂量增强机理进行了讨论。

陈盘训 周开明 《核技术》 1997年07期 期刊

关键词: CMOS电路 / X射线 / 剂量增强 / 辐射效应

下载(57)| 被引(12)

系统低剂量率失效和加速模拟试验方法  CNKI文献

综述双极器件和双极线性电路在低剂量率辐射环境下的增强损伤,它可引起系统的早期失效。分析了引起低剂量率失效的物理机制,它与MOS器件电离辐射的损伤机制完全不同。为了缩短模拟试验时间和提高效/费比,研究了几种加...

陈盘训 《核技术》 2003年02期 期刊

关键词: 低剂量率 / 失效 / 辐射损伤 / 模拟试验

下载(82)| 被引(4)

X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固  CNKI文献

本文研究在X射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法,给出组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数(DEF)。从实验结果出发,指出最佳的屏蔽X射线的方法。

陈盘训 《核电子学与探测技术》 1997年02期 期刊

关键词: X射线 / 剂量增强系数 / 电子系统 / 辐射加固

下载(76)| 被引(6)

CMOS电路γ总剂量辐射效应评论  CNKI文献

本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固CMOS电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺CMOS电路阈电压、静态功耗电流、输入输出特性和传输延迟时间等对总剂量辐射的不同响应规则。对多种实验电路进行了为期两年的...

陈盘训 高文明... 《核电子学与探测技术》 1992年01期 期刊

关键词: CMOS电路 / 总剂量 / 辐射加固 / 退火

下载(86)| 被引(3)

双极晶体管总剂量辐射失效概率  CNKI文献

对三种双极晶体管3DK9D,3DG6D和3DG4C(每种100只)作了失效概率PF与γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述PF和D的关系。取hFE(D)/hFE(O)=80%,70%,50%为器件失效判据,实验结果表明,失效分布...

陈盘训 谢泽元 《中国核科技报告》 2002年00期 期刊

关键词: 双极晶体管 / 总剂量 / 失效判据 / 失效概率

下载(76)| 被引(1)

双极晶体管中子辐射损伤常数的测量  CNKI文献

本文介绍了双极晶体管的中子辐射损伤常数k的重要性和确定K值的实验方法。给出了国产双极硅晶体管损伤常数K与发射极电流密度Je间的实验结果,还介绍了利用k值预估中子辐射环境下工作的双极晶体管增益退化的方法。

陈盘训 《核电子学与探测技术》 1982年03期 期刊

关键词: 双极晶体管 / 电流增益 / 损伤常数 / 中子辐射损伤

下载(36)| 被引(7)

双极晶体管X射线辐射剂量增强效应  CNKI文献

本文介绍典型双极晶体管在 X 射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.实际测量了双极晶体管 X射线辐射剂量增强系数,研究了双极器件剂量增强效应机理。

陈盘训 《核电子学与探测技术》 1997年01期 期刊

关键词: 双极晶体管 / X / 射线辐射 / 剂量增强

下载(51)| 被引(4)

运算放大器 X 和 γ 辐射损伤的比较  CNKI文献

比较了运算放大器在X和γ辐射环境下性能的变化,并对X射线对运算放大器产生的剂量增强效应作了研究。实验测量X射线对几种典型运放的相对剂量增强系数(RDEF)的范围为3.4~12.3。SiO2/Si界面产...

陈盘训 《辐射研究与辐射工艺学报》 1997年02期 期刊

关键词: 运算放大器 / X射线 / γ射线 / 辐射损伤

下载(51)| 被引(2)

γ总剂量辐射对CMOS器件性能的影响  CNKI文献

本文比较了相同结构不同工艺的CMOS电路γ电离辐射效应结果。它表明:未经加固的市售器件,对γ总剂量辐射相当灵敏。特别是硅栅器件,正偏置下,大约经15Gy的γ剂量辐射后即告失效;在70Gy下,静态功耗电流增加4.5个量级。...

陈盘训 李培俊 《核电子学与探测技术》 1988年01期 期刊

关键词: γ总剂量 / 电离辐射 / CMOS / 静态功耗电流

下载(66)| 被引(1)

整流和开关二极管中子辐射效应  CNKI文献

本文介绍核电子学线路及核仪器中应用相当广泛的整流和开关二极管在中子辐射后性能的变化,即正向压降和反向电流增加。中子辐射在半导体材料产生缺陷的载流子去除效应及少数载流子寿命的减少是其主要的损伤机理。实验...

陈盘训 《半导体技术》 1986年03期 期刊

关键词: 开关二极管 / 基区掺杂 / 正向压降 / 中子辐射效应

下载(66)| 被引(1)

双极晶体管总剂量辐射失效概率  CNKI文献

对三种双极晶体管3DG4C、3DG6D和3DK9D(每种100只)作了失效概率P_F和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述P_F和D的关系。取h(D)/h(O)=80%、70%、50%为器件失效判据,实验结果表明,失效分...

陈盘训 谢泽元... 《核电子学与探测技术》 1993年05期 期刊

关键词: 双极晶体管 / 总剂量 / 失效判据 / 失效概率

下载(38)| 被引(1)

砷化镓体效应二极管中子辐照效应  CNKI文献

本文研究了C、X和KQ等波段体效应二极管的中子辐照损伤效应。实验观察到中子辐照环境中体效应二极管低场电阻变大,工作电流和射频输出下降,VI特性变化,甚至使负阻特性消失。实验认为,器件性能退化是由中子辐照砷化镓材...

陈盘训 《核电子学与探测技术》 1985年04期 期刊

关键词: 体效应二极管 / 中子辐射损伤效应 / 性能退化 / 载流子去除效应

下载(62)| 被引(0)

变容二极管中子辐照损伤  CNKI文献

在中子辐照环境下,变容二极管C—V特性发生变化,在给定偏置下,结电容随中子注量的增加而下降。它是因外延层中引入深俘获能级所致,在高中子注量下,漏电流和正向压降均变大,优值Q也发生变化。

陈盘训 《核电子学与探测技术》 1987年02期 期刊

关键词: 变容二极管 / 中子辐照损伤 / C-V特性 / 深俘获能级

下载(34)| 被引(1)

微处理机核辐射效应及加固  CNKI文献

本文研究了微处理机各种辐射效应及失效模式,评述了各类微处理机目前的抗辐射水平。还讨论了其抗辐射加固途径和辐射损伤的退火。

陈盘训 《核电子学与探测技术》 1988年06期 期刊

关键词: 微处理机 / 核辐射 / 总剂量 / 电离辐射

下载(40)| 被引(0)

中子辐照对隧道二极管性能的影响  CNKI文献

本文介绍了中子辐照环境中,隧道二极管性能的退化,即谷电流增加,峰谷比下降、摆幅电压减少。用二次隧道效应理论解释了这种退化过程。

陈盘训 《核电子学与探测技术》 1985年01期 期刊

关键词: 隧道二极管中子辐照效应 / 谷电流增加 / 峰谷比下降 / 二次隧道效应

下载(43)| 被引(0)

电离引起的CMOS电路闭锁及消除方法  CNKI文献

本文介绍CMOS电路在电离辐射环境中闭锁的机理、几种消除闭锁的方法和闭锁窗问题。综述了近十年来国外在消除闭锁方面主要的研究成果。其间,也介绍了作者自己的一些看法。

陈盘训 《核技术》 1988年04期 期刊

关键词: 电离辐射 / 闭锁 / 单粒子扰动

下载(20)| 被引(0)

用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数  CNKI文献

当X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低Z材料的一侧将产生剂量增强 .介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用蒙特 卡洛程序计算了钨 硅、钽 硅、钨 二氧化硅和钽 二氧化硅界面的剂量增强系数 .

牟维兵 陈盘训 《物理学报》 2001年02期 期刊

关键词: X射线 / 界面 / 辐射损伤 / 剂量增强系数

下载(104)| 被引(16)

学术研究指数分析(近十年)详情>>

  • 发文趋势
时间的形状