综合介绍一种新的单粒子作用现象。模拟电路在单个重离子撞击下,在输出端产生瞬时信号,这种瞬时扰动可能影响到连接模拟电路输出端的电路,例如运算放大器的输出可能连接到数字计数器的输入端,由重离子引起放大器足够大...
综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产生的异常损伤，即在低剂量率下辐射时，这些器件在很低的总剂量水平下即告失效，失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极－基极结上覆盖了厚...
简述了Ｘ射线辐射对材料产生剂量增强效应的物理过程，着重介绍了Ｘ射线剂量增强对电子器件的影响．这种剂量增强使Ｘ射线辐射引起的损伤比能量较高的γ射线要严重得多．
研究了ＣＭＯＳ电路在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，测量了相对剂量增强系数。对不同工艺ＣＭＯＳ电路的剂量增强系数进行了比较，并对高原子序数材料的Ｘ射线剂量增强机理进行了讨论。
综述双极器件和双极线性电路在低剂量率辐射环境下的增强损伤,它可引起系统的早期失效。分析了引起低剂量率失效的物理机制,它与MOS器件电离辐射的损伤机制完全不同。为了缩短模拟试验时间和提高效/费比,研究了几种加...
本文研究在Ｘ射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法，给出组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数（ＤＥＦ）。从实验结果出发，指出最佳的屏蔽Ｘ射线的方法。
本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固CMOS电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺CMOS电路阈电压、静态功耗电流、输入输出特性和传输延迟时间等对总剂量辐射的不同响应规则。对多种实验电路进行了为期两年的...
对三种双极晶体管3DK9D,3DG6D和3DG4C(每种100只)作了失效概率PF与γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述PF和D的关系。取hFE(D)/hFE(O)=80%,70%,50％为器件失效判据,实验结果表明,失效分布...
本文介绍了双极晶体管的中子辐射损伤常数k的重要性和确定K值的实验方法。给出了国产双极硅晶体管损伤常数K与发射极电流密度Je间的实验结果,还介绍了利用k值预估中子辐射环境下工作的双极晶体管增益退化的方法。
本文介绍典型双极晶体管在 X 射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.实际测量了双极晶体管 X射线辐射剂量增强系数,研究了双极器件剂量增强效应机理。
比较了运算放大器在Ｘ和γ辐射环境下性能的变化，并对Ｘ射线对运算放大器产生的剂量增强效应作了研究。实验测量Ｘ射线对几种典型运放的相对剂量增强系数（ＲＤＥＦ）的范围为３．４～１２．３。ＳｉＯ２／Ｓｉ界面产...
本文比较了相同结构不同工艺的CMOS电路γ电离辐射效应结果。它表明:未经加固的市售器件,对γ总剂量辐射相当灵敏。特别是硅栅器件,正偏置下,大约经15Gy的γ剂量辐射后即告失效;在70Gy下,静态功耗电流增加4.5个量级。...
本文介绍核电子学线路及核仪器中应用相当广泛的整流和开关二极管在中子辐射后性能的变化,即正向压降和反向电流增加。中子辐射在半导体材料产生缺陷的载流子去除效应及少数载流子寿命的减少是其主要的损伤机理。实验...
对三种双极晶体管3DG4C、3DG6D和3DK9D(每种100只)作了失效概率P_F和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述P_F和D的关系。取h(D)/h(O)=80％、70％、50％为器件失效判据,实验结果表明,失效分...
本文研究了C、X和KQ等波段体效应二极管的中子辐照损伤效应。实验观察到中子辐照环境中体效应二极管低场电阻变大,工作电流和射频输出下降,VI特性变化,甚至使负阻特性消失。实验认为,器件性能退化是由中子辐照砷化镓材...
在中子辐照环境下,变容二极管C—V特性发生变化,在给定偏置下,结电容随中子注量的增加而下降。它是因外延层中引入深俘获能级所致,在高中子注量下,漏电流和正向压降均变大,优值Q也发生变化。
本文研究了微处理机各种辐射效应及失效模式,评述了各类微处理机目前的抗辐射水平。还讨论了其抗辐射加固途径和辐射损伤的退火。
本文介绍了中子辐照环境中,隧道二极管性能的退化,即谷电流增加,峰谷比下降、摆幅电压减少。用二次隧道效应理论解释了这种退化过程。
关键词： 隧道二极管中子辐照效应 / 谷电流增加 / 峰谷比下降 / 二次隧道效应
下载（43）| 被引（0）
本文介绍CMOS电路在电离辐射环境中闭锁的机理、几种消除闭锁的方法和闭锁窗问题。综述了近十年来国外在消除闭锁方面主要的研究成果。其间,也介绍了作者自己的一些看法。
