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基于时空冗余的容软错误锁存器设计  CNKI文献

随着集成电路工艺尺寸的不断降低,电路对空间辐射引起的单粒子效应越来越敏感。为了提高电路的可靠性,基于时间和空间冗余技术提出了一种高性能的容软错误锁存器DSH-CG。该锁存器包括两个内部冗余模块和一个由C单元与...

黄正峰 申思远... 《电子测量与仪器学报》 2015年09期 期刊

关键词: 锁存器 / 软错误 / 瞬态错误 / 冗余技术

下载(129)| 被引(5)

基于时序优先的电路容错混合加固方案  CNKI文献

为了有效降低容忍软错误设计的硬件和时序开销,该文提出一种时序优先的电路容错混合加固方案。该方案使用两阶段加固策略,综合运用触发器替换和复制门法。第1阶段,基于时序优先的原则,在电路时序松弛的路径上使用高可...

黄正峰 陈凡... 《电子与信息学报》 2014年01期 期刊

关键词: 微电子 / 软错误 / 时序裕度 / 触发器替换

下载(108)| 被引(23)

65nm工艺下单粒子加固锁存器设计  CNKI文献

随着工艺尺寸的缩减,单粒子引发的软错误成为威胁电路可靠性的重要原因.基于SMIC 65 nm CMOS工艺,提出一种单粒子加固锁存器设计.首先针对单粒子翻转,使用具有状态保持功能的C单元,并且级联成两级;然后针对单粒子瞬态...

黄正峰 钱栋良... 《计算机辅助设计与图形学学报》 2016年08期 期刊

关键词: 软错误 / 单粒子翻转 / 单粒子瞬态 / 加固锁存器

下载(125)| 被引(16)

40 nm CMOS工艺下的低功耗容软错误锁存器  CNKI文献

为了降低集成电路的软错误率,该文基于时间冗余的方法提出一种低功耗容忍软错误锁存器。该锁存器不但可以过滤上游组合逻辑传播过来的SET脉冲,而且对SEU完全免疫。其输出节点不会因为高能粒子轰击而进入高阻态,所以该...

黄正峰 王世超... 《电子与信息学报》 2017年06期 期刊

关键词: 软错误 / 单粒子翻转 / 单粒子瞬态 / 加固锁存器

下载(114)| 被引(13)

数字电路软错误防护方法研究  CNKI文献

数字电路的软错误防护方法是超大规模集成电路(VLSI)研究的重要组成部分。随着工艺尺寸不断改进,急速下降的工作电压使得节点的关键电荷也相应减小,以及日益严重的工艺偏差,均导致软错误率不断升高。特别是在宇航环境...

黄正峰 导师:梁华国 合肥工业大学 2009-10-01 博士论文

关键词: 软错误防护 / 数字电路 / 部分加固 / 扫描链复用

下载(612)| 被引(34)

32nm CMOS工艺单粒子三点翻转自恢复锁存器设计  CNKI文献

纳米尺度CMOS工艺的电荷共享效应日益显著,粒子入射导致电路内部多个节点同时翻转的概率急剧升高.为了提高时序单元的可靠性,提出了一种三点翻转(triple node upsets,TNUs)自恢复的加固锁存器结构,利用双输入反相器的...

黄正峰 郭阳... 《计算机辅助设计与图形学学报》 2020年12期 期刊

关键词: 单粒子翻转 / 抗辐射加固设计 / 双输入反相器 / 翻转自恢复

下载(90)| 被引(1)

65 nm CMOS工艺的低功耗加固12T存储单元设计  CNKI文献

随着CMOS工艺尺寸的不断缩减,存储单元对高能辐射粒子变得更加敏感,由此产生的软错误和因电荷共享导致的双节点翻转急剧增多.为了提高存储单元的可靠性,提出一种由4个PMOS晶体管和8个NMOS晶体管组成的抗辐射加固12T存...

黄正峰 李雪健... 《计算机辅助设计与图形学学报》 2019年03期 期刊

关键词: 抗辐射加固设计 / 软错误 / 单粒子翻转 / 存取可靠性

下载(82)| 被引(4)

基于温度传感器的硬件木马检测方法  CNKI文献

针对硬件木马检测的旁路信号分析法中需要黄金模型、受工艺扰动影响大的问题,提出了一种基于温度传感器的硬件木马检测方法。采用抗工艺扰动设计使温度传感器受工艺扰动的影响程度低。将温度传感器植入芯片内部相似结...

黄正峰 孙芳... 《微电子学》 2020年06期 期刊

关键词: 硬件木马 / 温度传感器 / 相似结构 / 工艺扰动

下载(135)| 被引(1)

基于混合三模冗余的容忍双点翻转锁存器  CNKI文献

随着集成电路工艺的飞速发展,电路内部节点对于高能粒子入射的敏感性急速增大,锁存器中辐射效应引起的软错误急剧增多.进入90 nm工艺以后,电荷共享导致的双点翻转已经成为影响可靠性的严重问题.为此,基于混合三模冗余...

黄正峰 凤志成... 《计算机辅助设计与图形学学报》 2018年05期 期刊

关键词: 软错误 / 双点翻转 / 混合三模冗余 / 加固锁存器

下载(86)| 被引(5)

一种65 nm CMOS低功耗加固SRAM单元  CNKI文献

提出了12管低功耗SRAM加固单元。基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗。基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误。Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降...

黄正峰 卢康... 《微电子学》 2019年04期 期刊

关键词: 低功耗 / 单粒子翻转 / SRAM / 抗辐照加固设计

下载(142)| 被引(1)

容忍单粒子多节点翻转的三模互锁加固锁存器  CNKI文献

为了能够容忍单粒子多节点翻转,提出了一种新颖的三模互锁加固锁存器。该锁存器使用具有过滤功能的代码字状态保存单元(CWSP)构成三模互锁结构,并在锁存器末端使用CWSP单元实现对单粒子多节点翻转的容错。HSPICE仿真结...

黄正峰 倪涛... 《电子科技大学学报》 2016年05期 期刊

关键词: 加固锁存器 / 多节点翻转 / 软错误 / 三模互锁

下载(107)| 被引(6)

基于灵敏放大器的高性能低功耗触发器设计  CNKI文献

文章提出了一种基于灵敏放大器的触发器设计,称为Cinv SAFF。Cinv SAFF沿用Con SAFF的主级部分,引入C单元加2个反相器构成的锁存器作为从级,有效地精简了晶体管的数量,降低了面积成本和功耗开销,其输出端反相器将输出...

黄正峰 苏子安... 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 2020年12期 期刊

关键词: 高性能 / 低功耗 / 触发器 / 灵敏放大器

下载(133)| 被引(1)

基于C单元的抗干扰低功耗双边沿触发器  CNKI文献

快速增长的功耗是VLSI设计中的重要问题,特别是输入信号中存在毛刺,双边沿触发器的功耗将会显著增大。为了有效降低功耗,提出了一种基于C单元的抗干扰低功耗双边沿触发器AILP-DET,结构采用快速的C单元,不仅能够阻塞输...

黄正峰 杨潇... 《电子测量与仪器学报》 2020年12期 期刊

关键词: 双边沿触发器 / 毛刺 / 低功耗 / C单元

下载(58)| 被引(1)

一种容忍单粒子双节点翻转的锁存器设计  CNKI文献

文章提出了一种新型的锁存器,采用双模冗余容错技术,能够同时容忍单粒子单节点翻转和单粒子双节点翻转。相比于同类型的加固设计,文中设计的结构延迟平均下降74.40%,功耗平均下降8.32%,功耗-延迟积(power-delay produ...

黄正峰 张阳阳... 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 2019年04期 期刊

关键词: 软错误 / 单粒子翻转 / 单节点翻转 / 双节点翻转

下载(101)| 被引(4)

一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器  CNKI文献

随着半导体工艺尺寸的发展,时钟频率越来越高,临界电荷变得越来越小,电路节点之间的电荷共享效应变得愈加严重,因此导致多节点翻转(multiple node upsets,MNU)的几率变大。为了解决MNU的问题,文章提出了一种高性能低功...

黄正峰 姚慧杰... 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 2019年12期 期刊

关键词: 软错误 / 单节点翻转(SNU) / 双节点翻转(DNU) / 高阻态

下载(65)| 被引(3)

一种容软错误的BIST结构  CNKI文献

针对深亚微米工艺下瞬态故障引发的软错误可能成为芯片失效的重要原因,提出一种容软错误的BIST结构——FT-CBILBO.该结构对并发内建逻辑块观察器进行改进,通过对多输入特征寄存器进行功能复用,构建双模冗余的容错微结...

黄正峰 梁华国... 《计算机辅助设计与图形学学报》 2009年01期 期刊

关键词: 软错误 / 并发内建逻辑块观察器 / 功能复用 / C单元

下载(231)| 被引(20)

32nm CMOS工艺三点翻转自恢复锁存器设计  CNKI文献

CMOS工艺的特征尺寸不断缩减,电荷共享效应诱发的单粒子三点翻转成为研究热点.本文提出了一种单粒子三点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器:Hydra-DICE(Dual Interlocked Storage Cell).该锁存器基于24个同构的交叉耦合单...

黄正峰 潘尚杰... 《电子学报》 2021年02期 期刊

关键词: 锁存器 / 单粒子翻转 / 双模互锁存储单元 / 抗辐射加固

下载(53)| 被引(0)

基于毛刺阻塞原理的低功耗双边沿触发器  CNKI文献

当输入信号存在毛刺时,双边沿触发器的功耗通常会显著增大,为了有效降低功耗,提出一种基于毛刺阻塞原理的低功耗双边沿触发器。在该双边沿触发器中,采用了钟控CMOS技术C单元。一方面,C单元能有效阻塞输入信号存在的毛...

黄正峰 杨潇... 《微电子学》 2020年03期 期刊

关键词: 双边沿触发器 / 毛刺 / 低功耗 / 钟控CMOS

下载(68)| 被引(1)

低功耗容软错误的65 nm CMOS 12管SRAM单元  CNKI文献

提出了一种具有软错误自恢复能力的12管SRAM单元。该单元省去了专用的存取管,具有高鲁棒性、低功耗的优点。在65 nm CMOS工艺下,该结构能够完全容忍单点翻转,容忍双点翻转的比例是64.29%,与DICE加固单元相比,双点翻转...

黄正峰 吴明... 《微电子学》 2019年06期 期刊

关键词: 抗辐射加固设计 / 单粒子效应 / 软错误鲁棒性 / 双点翻转

下载(76)| 被引(0)

45nmCMOS工艺三模冗余加固锁存器的性能评估  CNKI文献

集成电路器件处在辐射敏感环境中时,易受到粒子轰击产生单粒子效应,使得电路的逻辑值发生翻转,影响电路的可靠性。为了提高电路的可靠性,需要针对单粒子效应引起的单粒子翻转(single event upset, SEU)问题进行加固研...

黄正峰 王敏... 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 2020年03期 期刊

关键词: 三模冗余(TMR) / 表决器 / 容错 / 晶体管级

下载(66)| 被引(0)

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