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性能优异的多功能宽禁带半导体AlN薄膜  CNKI文献

作为具有优异介电性、压电性的宽禁带半导体材料,AlN是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了AlN材料结构特性、薄膜制备及应用的最新进展

黄继颇 王连卫... 《功能材料》 1999年02期 期刊

关键词: 氮化铝 / 宽禁带半导体 / 异质外延

下载(428)| 被引(30)

超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究  CNKI文献

用超高真空蒸发Al膜,结合氮化后处理工艺在Si(100)衬底上制备了AlN晶态薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等测试分析技术研究了薄膜的微结构特...

黄继颇 王连卫... 《功能材料与器件学报》 1998年04期 期刊

关键词: 氮化铝 / 电子束蒸发 / 氮化

下载(172)| 被引(30)

脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜  CNKI文献

c轴取向的AlN 具有优异的压电性和声表面波传输特性,已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用KrF脉冲准分子激光沉积工艺,在Si(100)衬底上成功地制备了c轴取向的AlN晶态薄膜。X射线衍射与傅里...

黄继颇 王连卫... 《压电与声光》 1999年05期 期刊

关键词: 氮化铝 / 脉冲激光沉积 / 压电性

下载(112)| 被引(16)

磁控溅射薄膜厚度分布模拟软件的编制  CNKI文献

对平面磁控溅射薄膜厚度分布提出了一种理论计算模型,编制了磁控溅射薄膜厚度分布模拟软件系统MFTDS,并用MFTDS对半球壳形工件内外膜厚分布进行了计算机模拟,在受磁控靶溅蚀区不均匀性影响较小的部位,所...

黄继颇 孙承永 《电子元件与材料》 1996年04期 期刊

关键词: 磁控溅射薄膜厚度 / 计算机 / 模拟软件

下载(256)| 被引(8)

脉冲准分子激光沉积AlN薄膜的研究  CNKI文献

采用ArF脉冲准分子激光沉积法并结合退火后处理工艺,在Si(111)衬底上成功地制备了AIN晶态薄膜。X射线衍射、扩展电阻与原子力显微镜等测试结果表明:薄膜具有(101)取向,平均晶粒大小为200nm;薄膜介电性能优异,...

黄继颇 王连卫... 《中国激光》 1999年09期 期刊

关键词: 氯化铝 / 脉冲激光沉积 / 介电性

下载(96)| 被引(9)

宽禁带半导体SiC的离子束合成、掺杂、隔离与智能剥离  CNKI文献

碳化硅作为新一代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、抗辐照电子器件中有着十分广阔的潜在应用前景.文章结合作者的工作,综述了离子束技术在SiC研究中的应用,其中包括SiC的合成、掺杂、器件隔离和智能...

黄继颇 王连卫... 《物理》 1998年05期 期刊

关键词: 碳化硅 / 离子注入 / 智能剥离

下载(151)| 被引(2)

MPEG2传输流复用原理与FPGA设计实现  CNKI文献

在介绍了 MPEG2传输流语法结构的基础上,提出以单 FPGA 实现 MPEG2传输流复用器设计与实现方案,最后给出了仿真结果。

黄继颇 《中国集成电路》 2003年06期 期刊

关键词: MPEG2 / FPGA / 复用器 / 传输流

下载(50)| 被引(1)

氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响  CNKI文献

SiC是一种重要的宽禁带半导体材料,在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。SiC中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了SiC 的注入(70keV,剂量5 &...

王连卫 黄继颇... 《功能材料与器件学报》 1999年03期 期刊

关键词: SiC / 注入损伤 / 光学性质

下载(72)| 被引(0)

用PLD法制备声表面波器件用ZnO薄膜  CNKI文献

采用脉冲激光淀积 (PLD)法在单晶Si(10 0 )衬底上淀积了ZnO薄膜。XRD、TEM和AFM分析表明 ,淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度。通过改变淀积气氛或在纯氧中高温退火 ,ZnO薄膜的电阻率提高到 10 7Ω·...

刘彦松 王连卫... 《功能材料》 2001年01期 期刊

关键词: 脉冲激光淀积 / 氧化锌 / 压电性 / 声表面波

下载(261)| 被引(73)

利用ZnO缓冲层制备AlN薄膜  CNKI文献

采用脉冲激光淀积 (PL D)技术 ,利用 Zn O作为缓冲层 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出 Al N薄膜。X-射线衍射图谱表明 ,该 Al N薄膜具有 c轴取向特性。X-光电子能谱测试表明 ,要获得接近理想化学配比的 Al N薄膜 ,需要高真...

刘彦松 王连卫... 《压电与声光》 2000年05期 期刊

关键词: AlN / ZnO / 缓冲层 / PLD

下载(240)| 被引(46)

在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜  CNKI文献

报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面...

王玉霞 温军... 《半导体学报》 2000年06期 期刊

关键词: 激光淀积 / α-SiC薄膜

下载(79)| 被引(29)

SOI高温器件及其在汽车电子等领域中的应用  CNKI文献

石油钻井、航空航天、汽车等工业领域急需能在高温下工作的器件和电路.SOI(silicon-on-Insulator)技术在高温器件和电路方面有着广泛的应用前景.文章简要介绍了SOI技术应用于制造高温器...

刘彦松 多新中... 《物理》 1999年07期 期刊

关键词: SOI / 高温器件和电路

下载(142)| 被引(7)

脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光...  CNKI文献

用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并...

王玉霞 曹颖... 《半导体学报》 2001年10期 期刊

关键词: 激光淀积 / SiC薄膜 / 晶化

下载(60)| 被引(6)

混合集成电路有限元热分析技术的研究(上)──方法与模型  CNKI文献

讨论了混合集成电路热分析的方法,提出用微机进行有限元热分析的实用方法,即模型/子模型方法。并构造了相应的热模型,在此基础上开发了微机有限元HIC热分析专用软件,给出了用于HIC热分析的各种模型,如半导...

杜磊 孙承永... 《电子元件与材料》 1995年04期 期刊

关键词: 混合集成电路 / 有限元 / 模型 / 热分析

下载(190)| 被引(2)

用同步辐射X射线反射率法研究薄膜结构  CNKI文献

利用同步辐射X射线对Cr/SiO2系统进行了反射率测量,得到了信噪比非常好的反射率曲线。通过对实验数据进行傅立叶变换和最小二乘法拟合得到了Cr膜的厚度以及Cr膜与SiO2衬底界面的粗糙度。结果表明,该...

徐章程 郭常霖... 《功能材料与器件学报》 1998年04期 期刊

关键词: X射线反射率 / 同步辐射 / 薄膜

下载(138)| 被引(1)

混合集成电路有限元热分析技术的研究(下)──软件与应用  CNKI文献

在对混合集成电路热特性分析和提出的模型/子模型基础上,开发了微机有限元HIC热分析专用软件。应用所开发的软件对典型的HIC进行了热分析,得到温度场分布。与热像仪实测结果对比,证实了该软件的正确性。

杜磊 孙承永... 《电子元件与材料》 1995年05期 期刊

关键词: 混合集成电路 / 热分析 / 软件

下载(128)| 被引(1)

薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计  CNKI文献

根据薄膜多层混合电路的特点,以控制信号发生器为例,讨论了薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计。在26mm×36mm的陶瓷基片上,完成了薄膜四层布线的布图设计,布通率达到100%,寄生电感和寄生电容...

孙一军 孙承永... 《电子元件与材料》 1995年06期 期刊

关键词: 薄膜电路 / 多层布线 / 计算机 / 布图设计

下载(42)| 被引(1)

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